Полярность транзистора:

NPN

Рабочая частота:

900 MHz

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

60

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

16 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

2 V

Непрерывный коллекторный ток:

5 mA

Минимальная рабочая температура:

- 40 C

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Вид монтажа:

SMD/SMT

Тип кормуса:

SOT-323-3

Напряжение коллектор-база (VCBO):

24 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:

200

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

10 GHz

Максимальный постоянный ток коллектора:

50 mA

Диапазон рабочих температур:

- 40...150 C

Pd - рассеивание мощности:

450 mW