STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Полярность
транзистора
NPN
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
1.2 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
3 A
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Вид монтажа
Through Hole
Корпус
TO-220-3
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
