Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью 35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный BCX51.115 Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 145 МГц, 500 мВт, -1 А, 63 hFE На складе ... Производитель: NEXPERIA Тип корпуса: SOT-89 код товара: 00-00059775 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 120 шт от 516 шт 4,50 4,17 3,87 Раздел: Транзистор биполярный   Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) Производитель  Nexperia Категория продукта  Биполярные транзисторы - BJT Вид монтажа  SMD/SMT Тип корпуса  SOT-89-3 Полярность транзистора  PNP Конфигурация  Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.  45 V Напряжение коллектор-база (VCBO)  45 V Напряжение эмиттер-база (VEBO)  5 V Максимальный постоянный ток коллектора  1 A Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)  145 MHz Рабочая температура  - 65 C ... + 150 C Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.  63 at 5 mA at 2 V Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)  63 Pd - рассеивание мощности  1300 mW     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП