КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BC850CW.115
Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 420...800

На складе ...
Производитель: NEX-NXP
Тип корпуса: SOT323-3
код товара: 00-00058951

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 391 шт
от 1684 шт

1,50
1,28
1,19

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)


Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0,6 В

Максимальная рабочая температура

 +150 °C

Максимальная рабочая частота

 100 МГц

Количество элементов на ИС

 1

Длина

 2.2мм

Максимальное напряжение коллектор-база

 50 V

Производитель

 Nexperia

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

 45 В

Максимальное рассеяние мощности

 200 mW

Тип монтажа

 ТНТ

Минимальная рабочая температура

 -65 °C

Ширина

 1.35мм

Максимальный пост. ток коллектора

 100 mA

Тип транзистора

 NPN

Высота

 1мм

Число контактов

 3

Максимальное напряжение эмиттер-база

 5 В

Размеры

 1 x 2.2 x 1.35мм

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

 420

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП