КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 Транзистор биполярный
BC817-40.215
Биполярный транзистор - SOT-23-3, Тип: NPN, UКЭ(макс): 45 В, IК(макс): 500 мА, Pрасс: 250 мВт, Fгран: 100 МГц, h21: 250...600
На складе ...
Производитель: NEXPERIA
Тип корпуса: SOT-23-3
код товара: 00-00031366

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 10 шт
от 1248 шт
от 5169 шт

0,50
0,40
0,39
Раздел:
Транзистор биполярный
 

Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 Nexperia

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 45 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 5 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.5 A

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 250 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 250 at 100 mA at 1 V

Высота

 1 mm

Длина

 3 mm

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Pd - рассеивание мощности

 250 mW

Ширина

 1.4 mm

Другие названия товара №

 BC817-40 T/R
 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный

Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.
Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП