Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET AUIRFR6215 Полевой транзистор P-MOSFET, -150В, -13А, 110Вт, TO252 На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: DPAK код товара: 00-00068578 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 5 шт от 20 шт 117,00 108,83 101,06 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое. Полярность транзистора  P-Channel Количество каналов  1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток  150 V Id - непрерывный ток утечки  13 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток  580 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток  - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток  4 V Qg - заряд затвора  66 nC Минимальная рабочая температура  - 55 C Максимальная рабочая температура  + 175 C Pd - рассеивание мощности  110 W     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП