Основная специализация — разработка,
упаковка и производство интегральных схем и дискретных компонентов. В
ассортименте представлены:
Микросхемы управления питанием (Power Management IC), LDO-регуляторы
(низкое энергопотребление), Трёхполюсные регуляторы напряжения, MOSFETы
(высокого, среднего и низкого напряжения), Оптопары, Драйверы
двигателей, ESD-защиты, Выпрямительные мосты, Дарлингтоны, логические
схемы и другие компоненты
Структура
n-канал
Максимальное
напряжение сток-исток Uси
В 60
Максимальный ток
сток-исток при 25 С Iси макс.
А 50
Максимальное
напряжение затвор-исток Uзи макс.
В 20
Сопротивление канала
в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление.