Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET 2SK3878STA1.E.S Транзистор MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P На складе ... Производитель: TOS Тип корпуса: TO-3P[N] код товара: 00-00053187 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 7 шт от 30 шт от 60 шт 78,00 72,46 67,29 63,93 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Категория продукта  МОП-транзистор Производитель  Toshiba Технология  Si Вид монтажа  Through Hole Тип корпуса  TO-3P-3 Количество каналов  1 Channel Полярность транзистора  N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток  900 V Id - непрерывный ток утечки  9 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток  1 Ohms Vgs - напряжение затвор-исток  30 V Qg - заряд затвора  60 nC Рабочая температура  -55...150 C Конфигурация  Single Время спада  20 ns Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.  7 S Pd - рассеивание мощности  150 W Время нарастания  25 ns     Мы рекомендуем покупать с этим товаром Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП