Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину   пассивные SMD-компоненты   SMD-конденсаторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1812, 2220 SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512 прецизионные низкоомные резисторные сборки SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206 высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный 2SA1020G-Y-AB3-R Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 50В, 2А На складе ... Производитель: UTC Тип корпуса: SOT-89 код товара: 00-00071625 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 191 шт от 822 шт 3,00 2,62 2,43 Раздел: Транзистор биполярный   UTC (Unisonic Technologies Company) основана в 1998, как производитель высококачественной полупроводниковой продукции для производителей электронной техники в различных сегментах рынка. Ток коллектора (Ic)  2А Ток отключения коллектора (Icbo)  1 мкА Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo)  50 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)@Ic,Ib)   500 мВ при 1 А, 50 мА Коэффициент усиления постоянного тока   120 при 500 мА, 2 В Рассеиваемая мощность (Pd)  500 мВт Тип транзистора  PNP Частота перехода (fT)  100 МГц Напряжение пробоя коллектор-эмиттер  50В Pd — рассеиваемая мощность  500 мВт       Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП