Характеристики транзистора 2SA1013
Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
Ток коллектора, не более: -1 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
Корпус: TO-92MOD

Транзистор биполярный

Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.