|
Микросхемы последовательной Flash памяти семейства DataFlash
компании Atmel серии AT45 на складе в
Харькове |
 |
|
AT45 идеально
подходят для хранения памяти программ, данных и для замены
последовательных EEPROM. DataFlash AT45 поделена на страницы, блоки
и сектора, что позволяет оптимизировать процесс стирания и защиты
данных. Запись и чтение данных производится через два буфера SRAM,
за счет которых ускоряется процесс обмена данными и обеспечивается
возможность выполнения механизма "чтение-модификация-запись".
Благодаря этому механизму данные во Flash, с точки зрения внешнего
устройства, можно изменять побайтно (функция эмуляции EEPROM).
В последней ревизии "D" предусмотрен
128-байтный регистр для хранения служебной информации. Этот регистр
включает уникальное 64-байтное число для каждой микросхемы (Device
ID) и 64 байта однократно программируемой памяти (ОТР) для записи
информации пользователя. Улучшенная защита секторов памяти
микросхемы позволяет защищать каждый сектор отдельно.
Благодаря функции lockdown, запрещающей модификацию любого набора
секторов (ячейки памяти становятся в дальнейшем доступны только для
чтения), разработчик может заблокировать изменение определенной
области памяти, например, кода загрузчика, и больше не беспокоиться
о случайных нарушениях кода.
Микросхемы
DataFlash выпускаются с диапазоном питающих напряжений 2,7-3,6 В. На
данный момент микросхемы выпускаются в различных корпусных
исполнениях. При разработке новых проектов следует учитывать, что
производитель планирует в ближайшем будущем снять с производства
корпуса с большим количеством выводов (SOIC28, TSOP, CBGA) и свести
весь ассортимент корпусов микросхем к двум видам - широкий (209 ml)
или узкий (150 ml) 8-выводный SOIC (выводы наружу), и 8-выводный MLF
(6Y8 мм) или CASON (6Y5 мм) (выводы под корпусом). В "широком" SOIC
будут выпускаться микросхемы емкостью от 1 до 128 Мбит, а в "узком"
SOIC - микросхемы емкостью от 1 до 32 Мбит, что позволит в случае
необходимости легко заменить в текущем проекте имеющуюся микросхему
на микросхему с другим объемом памяти, не меняя разводку на плате.
Причем "узкий" SOIC и MLF, а также "широкий" SOIC и CASON совместимы
по геометрическому расположению выводов, то есть одну микросхему
можно поменять на другую без изменения разводки на плате.
|
Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн | 
| AT45DB021D-SSH-B
Микросхема памяти FLASH
Тип: FLASH: Интерфейс: Serial, SPI, RapidS: Объём: 2 Мбит: Организация: 1024 pagesx264 bytes: Скорость: 66MHz: Напряжение: 2.7...3.6 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: MCRCH
код товара: 00-00022972
|
|
| 
| AT45DB041E-SHN-T
Микросхема памяти FLASH
Память: Serial Flash, 4Мбит, SPI / RapidS, 85МГц, 1,65-3,6В, SO8-W
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00056995
|
|
|
| AT45DB041E-SSHN-T
Микросхема памяти FLASH
Память : Serial Flash , SPI / RapidS , 85МГц , 1,65...3,6В , SO8
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: MCRCH
код товара: 00-00046807
|
|
|
| AT45DB081D-SSU
Микросхема памяти FLASH
Тип: FLASH: Интерфейс: Serial, SPI, RapidS: Объём: 8 Мбит: Организация: 4096 pagesx264 bytes: Скорость: 66MHz: Напряжение: 2.7...3.6 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: MCRCH
код товара: 00-00022975
|
|
|
| AT45DB081D-SU
Микросхема памяти FLASH
Тип: FLASH: Интерфейс: Serial, SPI, RapidS: Объём: 8 Мбит: Организация: 4096 pagesx264 bytes: Скорость: 66MHz: Напряжение: 2.7...3.6 В
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00022976
|
|
|
| AT45DB081E-SSHN-B
Микросхема памяти FLASH
Флэш-память 8Mb, 1.65V, 85Mhz SPI Serial
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00045924
|
|
|
| AT45DB081E-SSHNT
Микросхема памяти FLASH
IC: память FLASH, 8Мб, SPI/RapidS, 133МГц, 1,7-3,6В, SO8
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00071122
|
|
|
| AT45DB161E-SHD-T
Микросхема памяти FLASH
Память: Serial Flash: SPI / RapidS: 85 МГц: 2,5..3,6/2,3..3,6 В.
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: Dialog Semiconductor
код товара: 00-00052352
|
|
|
| AT45DB161E-SSHF-B
Микросхема памяти FLASH
FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 16 Мбит , в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.3...3.6 В . Рабочая температура: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00054745
|
|
|
| AT45DB321E-SHF2BT
Микросхема памяти FLASH
NOR Flash 32 Мбит, 3,0 В (2,3–3,6 В), от -40 до 85 °C, 512 байт
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: RENESAS
код товара: 00-00070463
|
|
|
| AT45DB321E-SHF-B
Микросхема памяти FLASH
Флэш-память 32M, 85MHz 2.3-3.6V.
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: ADESTO
код товара: 00-00046333
|
|
|
| AT45DB641E-SHN-T
Микросхема памяти FLASH
Флеш-память NOR 64Mb, 1.7V, 85Mhz SPI Serial Flash
Тип корпуса: SO8-208-1.27
Производитель: MCRCH
код товара: 00-00068667
|
|
|
| AT45DB021E-SSHNT
Микросхема памяти FLASH
Флэш-память, SPI, 4 Мбит (264 Bytes x 1024 pages), 70МГц
Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: Dialog Semiconductor
код товара: 00-00070462
| временно нет на складе , ожидается поступление на 28.08.2025 |  | 
|
|
|
| | AT45DB021E-SSHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB021E-SSHNT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
| | AT45DB041E-SHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB041E-SHNT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB041E-SSHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
| | AT45DB081E-SHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB081E-SHNT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB081E-SSHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
| | AT45DB081E-SSHNT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
| | AT45DB161E-SHD-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB161E-SSHDT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB321E-SHF2BT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
| | AT45DB321E-SHFB
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB321E-SHFT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB641E-SHN-B
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB641E-SHN2BT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| | AT45DB641E-SHNT
Serial FLASH memories - integrated circ.
Производитель: RENESAS
код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
|
1
|
пассивные
SMD-компоненты |
|
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
Время генерации 0.036733 секунд
Найдено 30 товаров |
Поставляемые компоненты
|
