STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов
Транзистор
IGBT
STGW45HF60WD Транзистор IGBT
Отличительные особенности:
- Рабочая частота выше 100 кГц
- Улучшенная характеристика EOFF при повышенной температуре
- Минимальный хвостовой ток
- Малые потери коммутации и проводимости
- Встречновключенный диод, в зависимости от топологии:
сверхскоростной (маркируется D) с агрессивным процессом коммутации
(сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания)
с малым падением и плавным восстановлением (маркируется DI) для
резонансных, квыазирезонансных или с плавной коммутацией топологий
(индукционные печи, сварочные аппараты)
- Меньшее температурное сопротивление (у корпуса TO-247 LL по сравнению
с TO-247)
Характеристики:
Максимальное напряжение КЭ: 600 В
Максимальный ток коллектора: 45 А
Время восстановления встроенного диода: 140 нс
Падение напряжения на встроенном диоде: 1.65 В
Тип корпуса: TO-247
Транзисторы
производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из
крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов.
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является
продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает
в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре:
биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал
управления). Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics
включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов,
IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых
драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и
IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем
управления электродвигателями электромобилей.
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
СКАЧАТЬ PDF
