IGBT-транзисторы с
напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В и током
коллектора от 15 А до 40 А
Новые
IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость
благодаря использованию технологии Field Stop для формирования
проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность,
низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на
переключение в требовательных схемах коммутации.
IGBT-транзисторы
отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных
преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом
переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий
демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением.
Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2),
уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к
снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет
разработчикам увеличивать общую системную производительность и
надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в
высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и
промышленном оборудовании.
Серия
IHR с технологией FS2-RC для применения в индукционных
нагревателях (NGTBxxN120IHR и NGTBxxN135IHR):
Оптимальны для применения в индукционных печах для приготовления
пищи за счёт низкой рабочей температуры корпуса
Чрезвычайно эффективная конструкция проводящего канала за счёт
применения технологии Fieldstop
Надёжное и недорогое однокристальное решение
Низкие потери на переключение снижают рассеиваемую мощность системы
Максимальная рабочая температура перехода: TJmax = 175°C
Встроенный демпферный диод (серия IHR) или быстродействующий
демпферный диод с плавным переключением
Диапазон рабочих частот переключения: от 20 кГц до 30 кГц
Отсутствие свинца в конструкции прибора
Область применения:
Индукционные нагреватели
Потребительская электроника
Схемы с плавным переключением
