Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |

| M24LR04E-RMN6T/2 Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SO8N]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 4 кбит:
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00045565 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M24LR64E-RMC6T/2 Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [8-UFDFPN (2x3)]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 64 кбит
Тип корпуса: UFDFPN-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00045567 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M24M01-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM, 1 Мбит, 128К x 8бит, Serial I2C (2-Wire), 1 МГц
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00060549 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M24M02-DRMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 2 Мбит: Организация: 256Kx8: Скорость: 1MHz: Напряжение: 1.8...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022909 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M24SR02-YMC6T/2 Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [8-UFDFPN (2x3)]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 2 кбит
Тип корпуса: UFDFPN-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00045558 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M25P10-AVMN6P Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH, NOR: Интерфейс: Serial, SPI: Объём: 1 Мбит: Организация: 128Kx8: Скорость: 50MHz: Напряжение: 2.3...3.6 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: MICRON код товара: 00-00022910 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M25P16-VMN6TP Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH: Интерфейс: SPI: Объём: 16 Мбит: Напряжение: 2.7...3.6 В: Траб: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022911 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M25P20-VMN6TPB Микросхема памяти FLASH микросхема памяти FLASH , 2.3...3.6В , SO8 , 2 М (256x8) , 75МГц , -40...85°C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: MICRON код товара: 00-00022913 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M25P32-VMF6TP Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-16-7.5]: Тип: FLASH, NOR: Интерфейс: Serial, SPI: Объём: 32 Мбит: Организация: 4Mx8: Скорость: 75MHz: Напряжение: 2.7...3.6 В
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: MICRON код товара: 00-00022914 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M25P40-VMN6TPB Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: FLASH, NOR: Интерфейс: Serial, SPI: Объём: 4 Мбит: Организация: 512Kx8: Скорость: 75MHz: Напряжение: 2.3...3.6 В
Тип корпуса: SO8W Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022915 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M25P80-VMW6TG Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH: Интерфейс: SPI: Объём: 8 Мбит: Напряжение: 2.7...3.6 В: Траб: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8W Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022917 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M27C322-100F1 Микросхема памяти EPROM Энергонезависимая память - [DIP-42-C]: Тип: EPROM UV: Интерфейс: Parallel (Byte-wide): Объём: 32 Мбит: Организация: 2Mx16: Скорость: 100ns: Напряжение: 4.5...5.5 В
Тип корпуса: DIP-42W Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022945 Перейти в группу Микросхема памяти EPROM |
|
|

| M27C801-100F1 Микросхема памяти EPROM Энергонезависимая память - [DIP-32-C]: Тип: EPROM UV: Интерфейс: Parallel (Byte-wide): Объём: 8 Мбит: Организация: 1Mx8: Скорость: 100ns: Напряжение: 4.5...5.5 В
Тип корпуса: FDIP-32W Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022951 Перейти в группу Микросхема памяти EPROM |
|
|

| M29F032D-70N6E Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [TSOP-40]: Тип: FLASH: Интерфейс: Parallel: Объём: 32 Мбит: Напряжение: 2.7...3.6 В: Траб: -40...85 °C
Тип корпуса: TSOP40 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022956 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M29W160EB70N6E Микросхема памяти FLASH Микросхема памяти: Flash EPROM: parallel: 2Mx8/1Mx16бит: 70нс
Тип корпуса: TSOP1-48 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00051344 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|

| M93C46-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 1 кбит в корпусе TSSOP-8
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052646 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C46-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация: 128x8 or 64x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023624 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C56-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация: 256x8 or 128x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023627 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C66-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 4 кбит в корпусе TSSOP-8
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052647 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C66-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 4 кбит: Организация: 512x8 or 256x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023628 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C76-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 8 кбит: Организация: 1Kx8 or 512x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023629 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C86-MN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 16 кбит в корпусе SOIC-8-3.9
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052648 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93C86-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 16 кбит: Организация: 2Kx8 or 1Kx16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023631 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93S46-WMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация: 64x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023632 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M93S56-WMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация: 128x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023633 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95010-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00059473 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95010-WMN6P Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания: 2.5...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023640 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95020-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Тип памяти: EEPROMs - Serial. Тип памяти: EEPROM. Объем памяти: 2K (256 x 8). Скорость: 10MHz. Интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023641 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95040-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Микросхема памяти: EEPROMs, объем памяти 4K (512 x 8). 20MHz, Интерфейс: SPI, 3-Wire Serial, 2.5 V ~ 5.5 V. -40°C ~ 85°C.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023642 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95080-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM, 8 Кбит, 1К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064494 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95080-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM "EEPROM 2.5 V to 5.5V 8K, SPI, 20 MHz, 1 k x 8, SMD/SMT, 200 Year , 5 mA, 3.3 V, 5 V. -40°C ~ 85°C."
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023643 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95128-DFDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064856 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95128-RDW6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 128Kbit, SPI, 1.8…5.5В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023644 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95128-WMN6P Микросхема памяти EEPROM EEPROM SMD/SMT 5.5V 128K (16Kx8), 5MHz, 5 mA, интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания: 2.5V - 5.5V Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023645 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95160-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00053180 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95160-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания: 2.5...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023646 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95160-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM SMD/SMT 2.5 V to 5.5V 16K (2K x 8) Скорость: 10MHz. Интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V. -40°C ~ 85°C.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023647 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95256-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM, 256 Кбит, 32К x 8бит, Serial SPI, 20 МГц
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066204 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95256-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Тип памяти EEPROMs - Serial. Тип памяти EEPROM. Объем памяти 256K (32K x 8). Скорость 5MHz. Интерфейс подключения SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания 2.5 V ~ 5.5 V. Рабочая температура -40°C ~ 85°C.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023648 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95320-DRMN3TP/K Микросхема памяти EEPROM EEPROM, 32 Кбит, 4К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00063528 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95320-RDW6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 32Kbit, SPI, 1.8…5.5В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023649 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95320-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 32Kbit, SPI, 2.5…5.5В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023650 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95320-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM, 32 Кбит, 4К x 8бит, Serial SPI, 20 МГц
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00063383 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95512-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM 2.5 V to 5.5V 512K (64K x 8) Скорость: 5MHz. Интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. -40°C ~ 85°C.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023652 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95640-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 64Kbit, SPI, 2.5…5.5В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023654 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95640-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 64 кбит. Скорость: 10MHz. Uпит.: 2.5 V...5.5 V. Замена к AT25640AN-10SU-2.7. (AT25640)
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023653 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95M01-RMN6P Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 1Mbit, SPI, 1.8…5.5В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023655 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| M95M02-DRMN6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 2Mbit, SPI, 1.8…5.5В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023656 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|

| MT48LC4M16A2P-6A:J Микросхема памяти SDRAM DRAM:4 M x 16:64 Mbit:167 MHz:
Тип корпуса: TSOP54 Производитель: MICRON код товара: 00-00070999 Перейти в группу Микросхема памяти SDRAM |
|
|

| MX25L12835FM2I-10G Микросхема памяти FLASH FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе SOP-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: SOP-8 Производитель: Macronix код товара: 00-00058054 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|