|  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247 Временно нет на складе...
Производитель: NCE Тип корпуса: TO-247-3 код товара: 00-00075411
СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор IGBT |
|
 |
NCEPOWER (официально
Wuxi NCE Power Co., Ltd.) — это
высокотехнологичная китайская компания, основанная в 2013 году,
специализирующаяся на разработке, проектировании и продаже
полупроводниковых силовых элементов и микросхем. У компании несколько
дочерних предприятий и филиалов, а численность сотрудников превышает 360
человек, включая значительную команду инженеров-разработчиков.
Основные
направления деятельности:
MOSFET,
IGBT
Области применения продукции:
Продукция NCEPOWER используется в потребительской электронике,
автомобильной электронике, промышленном оборудовании, системах
управления, новых энергетических решениях (например, электромобили и
зарядные станции), 5G-инфраструктуре и других современных технологиях. |
|
Тип |
IGBT +
встречно-параллельный диод |
|
Тип канала IGBT |
N |
|
Максимальная
рассеиваемая мощность (Pc), Вт |
535 |
|
Максимальное
напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В |
1200 |
|
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В |
30 |
|
Максимальный ток
коллектора |Ic| при 25℃, А |
100 |
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В |
1,7 |
|
Максимальное
пороговое напряжение GE |Vge(th)|, В |
6 |
|
Максимальная
температура перехода (Tj), ℃ |
175 |
|
Время нарастания (tr),
тип., нС |
17 |
|
Емкость коллектора (Cc),
тип., пФ |
220 |
|
Общий заряд затвора
(Qg), тип., нКл |
370 |
|
Тип корпуса |
TO-247 |
|