|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IR MOSFET N-Канал
IRFH7914TRPBF
MOSFET, 30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, PQFN56
На складе в Харькове...
Производитель: IR
код товара: 00-00032059
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12 | Раздел:
Транзистор IR MOSFET N-Канал
| | | |
|
 |
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями. |
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Производитель |
Infineon
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
PQFN-8
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
30 V |
|
Id - непрерывный ток
утечки |
35 A |
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
13 mOhms
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
1.35 V to 2.35 V
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
20 V |
|
Qg - заряд затвора |
8.3 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Конфигурация |
Single Quad Drain
Triple Source |
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Коммерческое
обозначение |
StrongIRFET
|
|
Время спада |
4.6 ns
|
|
Высота |
0.83 mm
|
|
Длина |
6 mm |
|
Чувствительный к
влажности |
Yes |
|
Pd - рассеивание
мощности |
3.1 W
|
|
Время нарастания |
11 ns
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Тип |
HEXFET Power
MOSFET |
|
Типичное время
задержки выключения |
12 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
11 ns
|
|
Ширина |
5 mm |
|
Другие названия
товара № |
SP001564146 |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
