| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IPA80R1K4P7XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 800 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220FP код товара: 00-00060733
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
MOSFET P7
CoolMOS™ от Infineon |
Целевым применением
MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи,
которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до
250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам,
которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники
электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного
питания для слаботочного оборудования.
Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить
более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE.
Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что
дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации
преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.
Технические
преимущества:
Лучшее на рынке соотношение FOM – Rds(on) * Eoss;
Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Qg,
Ciss, Coss;
Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса
до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
Самый низкий на рынке параметр Vgs(th) 3 В с малым разбросом ±0,5 В;
Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс
защиты по HBМ).
Основные
характеристики:
Корпус: TO-220-3
Конфигурация и полярность: N
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 4,5 А
Сопротивление открытого канала (мин): 1 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора: 10 В
Максимальное напряжение затвора: 20 В
Заряд затвора: 11 нКл
Рассеиваемая мощность: 25 Вт
Ёмкость затвора: 300 пФ
|
| | |
Транзисторы N-MOSFET фирмы Infineon
Technologies с Uds=40:75В |
|
Infineon на сегодняшний день — это одна из лидирующих компаний
на рынке полупроводников. Infineon разрабатывает и производит
широчайший спектр инновационных продуктов. Продукция Infineon
находит применение в области проводных и беспроводных коммуникаций,
автомобильной и тяжелой промышленности, на рынке систем безопасности
и смарт-карт. |
|
|
Поставляемые компоненты
|