КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     

Склад обновлен: 18 февраля 2019 г

ICQ: 624305018

SiteHeart
 

 

EnglishRussianUkrainian

Случайный товар: TJ2-4P4C - Разъем RJ-11
Телефонный разъем RJ11 розетка на плату, 4P4C, Предельный ток 1.5А

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Микросхема памяти EEPROM
AT24C256C-SSHL-T
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 256 кбит: Организация: 32Kx8: Скорость: 400kHz, 1MHz: Напряжение: 1.7...5.5 В

На складе в Харькове...
Производитель: MCRCH
код товара: 00-00022830

Кол-во

Цена, грн

Купить

от 1 шт
от 32 шт
от 81 шт


от 408 шт

8,25
7,76
7,37

7,00

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120
Раздел:
Микросхема памяти EEPROM


 

Microchip Technology Inc. — американский производитель микроэлектроники, 8-, 16- и 32-битных микроконтроллеров, цифровых сигнальных контроллеров, а также аналоговой и интерфейсной продукции.


AT24C128, AT24C256

Микросхемы двухпроводного последовательного EEPROM емкостью 128 кбит и 256 кбит

Отличительные особенности:

  • Работа при пониженном и стандартном напряжении питания
    - 2.7В (Vсс = 2.7В..5.5В)
    - 1.8В (Vсс = 1.8В..3.6В)
  • Организация памяти 16384 x 8 и 32768 x 8
  • Двухпроводной последовательный интерфейс
  • Триггеры Шмита на входах для подавления шума
  • Двунаправленный протокол передачи данных
  • Совместимость с частотами синхронизации 1 МГц (5В), 400 кГц (2.7В, 2.5В) и 100 кГц (1.8В)
  • Вход защиты от записи для аппаратной и программной защиты данных
  • Режим записи 64-байтных страниц (возможность частичной записи страницы)
  • Самосинхронизированный цикл записи (не более 5 мс)
  • Высокая надежность
    - Износостойкость: 1 миллион циклов записи
    - Сохранность данных: 40 лет
  • Расширенный температурный диапазон и корпуса без содержания свинца и галоидных соединений
  • 8-выводные корпуса JEDEC PDIP, JEDEC и EIAJ SOIC, MAP, TSSOP, SAP и dBGA2

Описание:

Микросхемы AT24C128/256 содержат 131072/262144 бит последовательного электрически стираемого и программируемого постоянного запоминающего устройства EEPROM с организацией памяти в виде 16384/32768 слов по 8 бит в каждом. Микросхемы содержат входы задания адреса на последовательной двухпроводной шине, которые позволяют подключить к одной последовательной шине до 4 микросхем. Микросхемы оптимизированы под использование во многих промышленных и коммерческих приложениях, где важны малая потребляемая мощность и работа при низком напряжении питания. Микросхемы выпускаются в малогабаритных 8-выводных корпусах JEDEC PDIP, JEDEC SOIC, EIAJ SOIC, MAP (24C128), TSSOP, SAP и dBGA2. Кроме того, все семейство выпускается в двух исполнениях на напряжение питания 2.7В (2.7...5.5В) и 1.8В (1.8...3.6В).

Таблица 1. Описание выводов:

Название контакта Функция
A0…A1 Адресные входы
SDA Последовательный ввод данных
SCL Вход последовательной синхронизации
WP Вход защиты от записи
NC Не присоединён
GND Общий

Предельно-допустимые параметры*

Рабочая температура -55°C...+125°C
Температура хранения -65°C...+150°C
Напряжение на любом выводе по отношению к общему -1.0В...+7.0В
Максимальное рабочее напряжение 6.25В
Постоянный выходной ток 5.0 мА

* ВНИМАНИЕ! Работа микросхемы в условиях, выходящих за границы предельно-допустимых параметров может привести к ее отказу. Подразумевается, что приведенные предельно-допустимые параметры, выходящие за пределы соответствующих рабочих диапазонов, носят только кратковременный характер. Длительная работа микросхемы при условиях близких к границам предельно-допустимых параметров может привести к снижению надежности ее функционирования.

Структурная схема AT24C128, AT24C256
Рисунок 1. Структурная схема

Расположение выводов AT24C128, AT24C256
Расположение выводов

Описание выводов:

SCL - синхронизация последовательной связи

Вход SCL используется для ввода данных нарастающим фронтом и вывода данных падающим фронтом.

SDA - последовательная передача данных и адреса

Вывод SDA используется для двунаправленной последовательной передачи данных. Он является выводом с открытым стоком и может быть соединен с несколькими аналогичными выводами (с открытым стоком или коллектором).

A1, A0 - входы задания адреса

Входы A1 и A0 предназначены для задания адреса. Их можно оставить неподключенными в целях аппаратной совместимости с другими представителями серии AT24CXX. Если данные выводы задействованы, то до 4 четырех 128/256 кбитных микросхем можно адресовать на одной последовательной шине (адресация микросхем более детально рассматривается в разделе "Адресация микросхемы"). Если выводы задания адреса оставить неподключенными, то уровни на них будут образованы встроенными подтягивающими резисторами (подтягивание к уровню GND), но при условии, что емкостная связь с VCC на печатной плате < 3 пФ. Если данная емкостная связь более 3 пФ, то рекомендуется подключить адресные входы к GND.

WP - вход защиты от записи

При подключении данного входа к GND операция записи разрешена. Если же его подключить к VCC, то все команды записи в память игнорируются. Если данный вывод оставить отключенным, то он будет подтягиваться к уровню GND встроенным подтягивающим резистором при условии, что емкостная связь с VCC на печатной плате не более 3 пФ. Если емкостная связь более 3пФ, то рекомендуется подключить данный вывод к GND.

Организация памяти

Последовательное EEPROM AT24C128/256 с размером памяти 128/256 кбит

Память размером 128/256 кбит внутренне разделена на 256/512 страниц по 64 байта в каждой. Для доступа к памяти по произвольному адресу требуется 14/15-разрядное слово адреса.

Таблица 2. Емкость выводов (1)

Приведенные числовые характеристики определены при следующих условиях: Tокр.ср. = 25°C, f = 1.0 МГц, Vсс = +1.8В.

Обозначение Наименование Макс. Единица измерения Условия измерения
CI/O Входная/выходная емкость (SDA) 8 пФ VI/O= 0В
CIN Входная емкость (A0, A1, SCL) 6 пФ VIN= 0В

Прим. 1:

  1. Данная характеристика снята, но проверена не полностью.

Таблица 3. Статические характеристики (1)

Если не указано прочих условий, то данные характеристики распространяются на следующие условия применения: Tокр.ср.пром. = -40°C...+85°C, Vсс = +1.8...+5.5В; Tокр.ср.расшир.= -40°C...+125°C(2), Vсс = +2.7В...+5.5В

Обозначение Наименование характеристики Условия измерения мин. тип. макс. Единица измерения
VCC1 Напряжение питания   1.8   3.6 В
VCC2 Напряжение питания   2.5   5.5 В
VCC3 Напряжение питания   4.5   5.5 В
ICC1 Потребляемый ток VCC=5.0В чтение на частоте 400 кГц   1.0 2.0 мА
ICC2 Потребляемый ток VCC=5.0В запись на частоте 400 кГц   2.0 3.0 мА
ISB1 Потребление в дежурном режиме (опция 1.8В) VCC=1.8В Vвх= VCC или VSS     0.2 мкА
VCC=3.6В     2.0  
ISB2 Потребление в дежурном режиме (опция 2.5В) VCC=2.5В Vвх= VCC или VSS     0.5 мкА
VCC=5.5В     6.0  
ISB3 Потребление в дежурном режиме (опция 5.0В) VCC=4.5-5.5В Vвх= VCC или VSS     6.0 мкА
ILI Входной ток утечки Vвх= VCC или VSS   0.10 3.0 мкА
ILO Выходной ток утечки Vвых= VCC или VSS   0.05 3.0 мкА
VIL Низкий входной уровень(1)   -0.6   VCCx 0.3 В
VIH Высокий входной уровень(1)   VCCx 0.7   VCC+ 0.5 В
VOL2 Низкий выходной уровень VCC= 3.0В Iвых.0= 2.1 мА     0.4 В
VOL1 Низкий выходной уровень VCC= 1.8В Iвых.0= 0.15 мА     0.2 В

Прим.:

  1. Минимальное значение VIL и максимальное значение VIH указаны для справки и не уточнялись достоверно.
  2. Микросхемы AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (маркировка расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса) рассчитаны на работу в расширенном температурном диапазоне.

Таблица 4. Динамические характеристики для промышленного температурного диапазона

Если не указано прочих условий, то данные характеристики распространяются на следующие условия применения: Tокр.ср.пром. = -40°C...+85°C, Vсс = +1.8...+5.5В; CL = 100 пФ. Условия измерения представлены в прим. 2.

Обозначение Наименование характеристики 1.8В 2.5В 5.0В Единица измерения
мин. макс. мин. макс. мин. макс.
fSCL</td> Частота синхронизации на входе SCL   100   400   1000 кГц
tLOW Длительность низкого уровня синхронизации 4.7   1.3   0.4   мкс
tHIGH Длительность высокого уровня синхронизации 4.0   0.6   0.4   мкс
tAA Время до готовности выходных данных после установления низкого уровня синхронизации 0.1 4.5 0.05 0.9 0.05 0.55 мкс
tBUF Длительность обязательного освобождения шины до начала передачи (1) 4.7   1.3   0.5   мкс
tHD.STA Время удержания старта 4.0   0.6   0.25   мкс
tSU.STA Время установления старта 4.7   0.6   0.25   мкс
tHD.DAT Время удержания входных данных 0   0   0   мкс
tSU.DAT Время установления входных данных 200   100   100   нс
tR Время нарастания на входах (1)   1.0   0.3   0.3 мкс
tF Время спада на входах (1)   300   300   100 нс
tSU.STO Время установления останова 4.7   0.6   0.25   мкс
tDH Время удержания выводимых данных 100   50   50   нс
tWR Длительность цикла записи   20 или 5(3)   10 или 5(3)   10 или 5(3) мс
Износостойкость(1) 25°C, страничный режим 100 тысяч или 1000000(4) кол. циклов записи

Прим.:

  1. Данная характеристика снята, но проверена не полностью.
  2. Условия измерения динамических характеристик:
    - RL (подключается к Vсс): 1.3 кОм (2.5В, 5В), 10 кОм (1.8В)
    - Напряжения входного импульса: 0.3 Vсс ... 0.7 Vсс
    - Времена нарастания и спада: 50 нс
    - Опорные напряжения входной и выходной синхронизации: 0.5 Vcc
  3. Длительность цикла записи 5 мс относится только к AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (маркировка расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса).
  4. Для AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса) гарантируется износостойкость 1 миллион циклов записи (1.8 - 3.6В).

Таблица 5. Динамические характеристики (5) для расширенного температурного диапазона

Если не указано прочих условий, то данные характеристики распространяются на следующие условия применения: Tокр.ср.расшир. = -40°C...+125°C, Vсс = +2.7...+5.5В; CL = 100 пФ. Условия измерения представлены в прим. 2.

Обозначение Наименование параметра 2,7В 5,0В Единица измерения
мин. макс. мин. макс.
fSCL Частота синхронизации на входе SCL   400   1000 кГц
tLOW Длительность низкого уровня синхронизации 1.3   0.4   мкс
tHIGH Длительность высокого уровня синхронизации 0.6   0.4   мкс
tAA Время до готовности выходных данных после установления низкого уровня синхронизации 0.05 0.9 0.05 0.55 мкс
tBUF Длительность обязательного освобождения шины до начала передачи (1) 1.3   0.5   мкс
tHD.STA Время удержания старта 0.6   0.25   мкс
tSU.STA Время установления старта 0.6   0.25   мкс
tHD.DAT Время удержания входных данных 0   0   мкс
tSU.DAT Время установления входных данных 100   100   нс
tR Время нарастания на входах (1)   0.3   0.3 мкс
tF Время спада на входах (1)   300   100 нс
tSU.STO Время установления останова 0.6   0.25   мкс
tDH Время удержания выводимых данных   50   50 нс
tWR Длительность цикла записи   10 или 5(3)   10 или 5(3) мс
Износостойкость(1) 25°C, страничный режим 100 тыс. или 1000000(4) кол. циклов записи

Прим.:

  1. Данная характеристика снята, но проверена не полностью.
  2. Условия измерения динамических характеристик:
    - RL (подключается к Vсс): 1.3 кОм (2.5В, 5В), 10 кОм (1.8В)
    - Напряжения входного импульса: 0.3 Vсс ... 0.7 Vсс
    - Времена нарастания и спада:  50 нс
    - Опорные напряжения входной и выходной синхронизации: 0.5 Vcc
  3. Длительность цикла записи 5 мс относится только к AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (маркировка расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса).
  4. Для AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса) гарантируется износостойкость
    1 миллион циклов записи (1.8 - 3.6В).
  5. Микросхемы AT24C128/256 с маркировкой "B" на корпусе (маркировка расположена в нижнем правом углу на верхней стороне корпуса) рассчитаны на работу в расширенном температурном диапазоне.

Описание функционирования микросхемы

Синхронизация и передача данных:

Вывод SDA обычно подтягивается к плюсу питания внешним устройством. Вывод SDA может изменяться только тогда, когда SCL в низком состоянии
(см. рисунок 4). Изменение данных, когда SCL в высоком состоянии, будет восприниматься как условие старта или останова, что показано ниже.

Условие старта:

Переход из высокого в низкое состояние на выводе SDA, когда на входе SCL высокий уровень, является условием старта, которое должно предшествовать любой другой команде (см. рисунок 5).

Условие останова:

Переход из низкого в высокое состояние на выводе SDA, когда на входе SCL высокий уровень, является условием останова. После завершения последовательности чтения EEPROM командой останова микросхема переводится в дежурный режим (см. рисунок 5).

Подтверждение:

Все слова адреса и данных передаются последовательно в EEPROM и обратно в 8-битном формате. EEPROM отправляет ноль в течение 9 периода синхронизации для подтверждения приема каждого слова.

Дежурный режим:

AT24C128/256 поддерживают маломощный дежурный режим работы, который активизируется в следующих ситуациях:

  • при подаче питания;
  • после приема условия останова (стоп-бита) и завершения внутренних операций.

Сброс памяти:

После прерывания протокола, потери питания или системного сброса необходимо сбросить двухпроводной последовательный порт следующим образом:

  • формируем до 9 тактов синхронизации;
  • следим, чтобы на каждом такте, когда SCL в высоком состоянии, SDA также был в высоком состоянии;
  • создаем условие старта, т.к. SDA имеет высокий уровень.

Синхронизация шины
Рисунок 2. Синхронизация шины (SCL - синхронизация последовательной связи, SDA - последовательный ввод-вывод данных)

Синхронизация цикла записи
Рисунок 3. Синхронизация цикла записи (SCL - синхронизация последовательной связи, SDA - последовательный ввод-вывод данных)

Прим.: 1. Длительность цикла записи tWR - время после вступления в силу условия останова последовательности записи до окончания внутреннего цикла стирания/записи.

Готовность данных
Рисунок 4. Готовность данных

Условия старта и останова
Рисунок 5. Условия старта и останова

Передача подтверждения
Рисунок 6. Передача подтверждения

Адресация микросхемы

Для выполнения операции чтения или записи 128/256 кбитные EEPROM требуют передачи 8-битного адреса микросхемы вслед за передачей условия старта (см. рисунок 7). Слово адреса микросхемы состоит из обязательной последовательности единиц и нулей в первых пяти старших разрядах, как показано на рисунке. Данное правило распространяется на все двухпроводные EEPROM.

EEPROM используют два адресных бита A1, A0, что позволяет адресовать до 4 микросхем на одной последовательной шине. Данные биты сравниваются с их соответствующими аппаратным входами. На входах A1 и A0 предусмотрена специальная схема, которая в случае их неподключенности подтягивает потенциал к низкому уровню.

Восьмой бит адреса микросхемы является битом выбора операции чтения/записи. Операция чтения инициируется, когда данный бит имеет высокий уровень. Если же этот бит имеет низкий уровень, то инициируется операция записи. При совпадении адреса микросхемы EEPROM передает ноль. Если совпадения нет, то микросхема переходит в дежурный режим.

Защита данных:

У AT24C128/256 реализован аппаратный механизм защиты данных, которая позволяет пользователю защитить всю память при подключении входа WP к VCC.

Операции записи

Запись байта:

Для выполнения операции записи требуется два 8-разрядных слова адреса, который передает после слова адреса микросхемы и подтверждения. После приема данного адреса EEPROM снова отвечает нулем, затем при поступлении импульсов синхронизации принимает первые 8 бит слова данных. После приема 8 бит слова данных EEPROM передает ноль После этого, адресующее устройство, например, микроконтроллер, прерывает последовательность записи передачей условия стоп. В этот же момент времени в EEPROM активизируется внутренне синхронизируемый цикл записи tWR в энергонезависимую память. Все входы отключаются в процессе выполнения цикла записи и до завершения записи EEPROM не реагирует на внешние запросы (см. рисунок 8).

Страничная запись:

128/256 кбитные EEPROM поддерживают запись 64-байтных страниц. Страничная запись инициируется таким же способом, что и побайтная запись, за исключением того, что микроконтроллер не отправляет условие останова после приема первого слова данных. Взамен этого, EEPROM подтверждает прием первого слова данных, после чего микроконтроллер может передавать до 63 слов данных. После приема каждого последующего слова данных EEPROM отвечает нулем. Микроконтроллер прекращает последовательность страничной записи путем передачи условия останова (см. рисунок 9).

После приема каждого слова данных инкрементируются младшие 6 бит слова адреса. Старшие биты слова адреса не инкрементируются. Если в результате внутреннего инкрементирования слова адреса достигается его граничное значение, то следующий байт будет приниматься в начало той же страницы. Если в EEPROM передается более 64 байт слов данных, то ранее переданные данные будут заменены вновь поступившими. При выполнении инкрементирования в процессе записи последнего байта текущей страницы устанавливается адрес первого байта той же страницы.

Опрос подтверждения:

Сразу после инициирования внутренне-синхронизируемого цикла записи и отключения входов EEPROM можно начать опрос подтверждения. Для этого необходимо отправить условие старта после адресного слова. Бит чтения/записи определяет выполнение желаемой операции. EEPROM отвечает нулем только по завершении внутреннего цикла записи, тем самым, позволяя продолжить последовательность записи.

Операции чтения

Операции чтения инициируются тем же способом, что операции записи за исключением того, что бит выбора операции чтения/записи в адресном слове равен единице. Поддерживаются три операции чтения: чтение по текущему адресу, чтение по произвольному адресу и упорядоченное чтение.

Чтение по текущему адресу:

Внутренний счетчик адреса слова данных хранит адрес, который использовался при последней операции чтения или записи, увеличенный на 1. Данный адрес остается действительным то тех пор, пока на микросхему подано питание. При выполнении инкрементирования, после чтения последнего байта последней страницы, устанавливается адрес первого байта первой страницы.

Сразу после приема адреса микросхемы с битом выбора чтения/записи равным единице и подтверждения приема со стороны EEPROM передается слово данных по текущему адресу. Микроконтроллер не отвечает нулем, а передает условие останова (см. рисунок 10).

Чтение по произвольному адресу:

Для чтения по произвольному адресу необходимо выполнить "холостую" процедуру загрузки адресного слова данных. Как только микросхема примет адресное слово микросхемы, адресное слово данных и отправит подтверждение, микроконтроллер должен генерировать новое условие старта. После этого необходимо инициировать операцию чтения по текущему адресу путем отправки адреса микросхемы с установленным в единичное состояние битом выбора чтения/записи. EEPROM подтверждает адрес микросхемы и последовательно передает слово данных. Микроконтроллер не отвечает нулем, а должен генерировать условие останова (см. рисунок 11).

Упорядоченное чтение:

Упорядоченное чтение инициируется после операции чтения по текущему адресу или после операции чтения по произвольному адресу. После приема микроконтроллером слова данных он отвечает подтверждением. Когда EEPROM примет подтверждение, выполняется инкрементирование адреса слова данных и передается очередное слово данных. По достижении границы адресного пространства адрес слова данных переходит в начальное состояние и упорядоченное чтение продолжится. Упорядоченное чтение прекращается, когда микроконтроллер не отвечает нулем, но продолжает генерировать условия останова (см. рисунок 12).

Адрес микросхемы
Рисунок 7. Адрес микросхемы

Запись байта
Рисунок 8. Запись байта

Запись страницы
Рисунок 9. Запись страницы

Прим.:

(* - неиспользуемый бит)
(† - неиспользуемый бит у 128 кбитного EEPROM)

Чтение по текущему адресу
Рисунок 10. Чтение по текущему адресу

Чтение по произвольному адресу
Рисунок 11. Чтение по произвольному адресу

Прим.:

(* - неиспользуемый бит)
(† - неиспользуемый бит у 128 кбитного EEPROM)

Упорядоченное чтение
Рисунок 12. Упорядоченное чтение

 
 

Микросхемы памяти на складе в Харькове

 

AT45DB - Микросхемы последовательной Flash памяти семейства DataFlash компании Atmel
M24SR – беспроводная NFC-память с высокой скоростью передачи данных

микросхемы памяти EEPROM фирмы Microchip в миниатюрных корпусах SOT23
Последовательная EEPROM-память производства STMicroelectronics
Микросхемы последовательной (SST25, SST26) и параллельной (SST39) Flash-памяти компании SST
Энергонезависимая память RAMTRON на складе
FLASH-память на складе - полный перечень
Энергонезависимая память ROM на складе
Электрически программируемая EPROM
Перезаписываемая память EEPROM
Микросхемы памяти FRAM - полный перечень
Статическая память SRAM

Микросхемы памяти SDRAM на складе

Энергонезависимая память M24LR

 

Микросхема памяти EEPROM
EEPROM (Electically Erasable Programmable ROM) - электрически стираемая и программируемая постоянная память. Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Используется в твердотельных накопителях. EEPROM позволяет обновлять хранящиеся данные либо в побайтовом режиме, либо целыми секторами, обеспечивая гибкость при проектировании. Память EEPROM сохраняет свое содержимое даже при отключении питания.

 

 

Рекомендуем для покупки с этим товаром

Переходник - Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса 150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для микросхем в корпусе SOIC.


Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая микросхему для безопасной замены.

Поставляемые компоненты











ATmega STM32 ADUM MAX232 GAINTA Светодиодные лампы Источники питания CREE International Rectifier stm8 G5LA RS-232 Драйвер светодиода RS-485 USB ATTINY CORTEX JTAG Плата SENSOR Honeywell Talema Программатор OMRON G2RL Sumida Analog Devices WINSTAR Радиаторы  G6D LUKEY MAXIM MDR STTH EEPROM NXP Индикаторы AVR GEYER IRF IRG4 G2R IGBT GPS GSM G6K MICRA Контактная плата Microchip TDA CTQ DISCOVERY резонатор G5LE ADM485 паяльник RASPBERRY линза ГЕРКОН Осциллограф P10CU RCH TNY TOP ХИМИЯ SMARTPROG2 G6Y металлоискатель WAGO DEGSON DSO QUAD MP-S300B ИОНИСТОР arduino BNC Варистор Прожектор CHRONOS Клавиатура supersilent тумблер соленоид strada chemet RJ-45 c8051 BOURNS G6R 91sam7s G5NB ATMEL ALPR Sunon EPM G5Q sonar G6B MSP430 UDS HIH LPC zl320 AD711 7805 STP JADE II PTC D-SUB MAX44 sim900 uni-s UNI-M Allegro cosmo pic24 ATXmega TMS320 переключатель датчик тока датчик усилия 1N4007 ds18b20 Батарейный отсек шаговый двигатель сервопривод AT89C AT89S AT90PWM AT90CAN AT90USB AT91SAM DRP разрядник bourns Texas Instruments АКЦИЯ XML-2 HE-1202 EPS-15 Детектор газа OSRAM sht 3590s cny arpl lmv mc33 ST-LINK rail-to-rail BEEPROG корпус герметичный hf41f pinguino pickit TFT Bright LED WIELAND STM32VLDISCOVERY TE Connectivity skkt TR91 EPM3 M24LR-DISCOVERY NCR Держатель светодиода SMAJ WG12864 Индикаторный светодиод zl322 TIP Радиатор ADG TLP WG320240 TACT 74LVC RS-15 PIC16 NS25 MOC MMBT MPSA MCDR P6KE STM32F4 TFM CXA2011 MC34 MBRS SMBJ MURS MBRA 78L05 KXO-210 FTDI KBPC IRLR IRFP AT24 P10AU ACS712 SN74HC G5V 78L12 LM358 IRF3205 LM2575 BT137 AD7705 WH1602 78L12 3842 TECAP PIC18 G6Z PC817 STM32F3 MPX MCP6 WH1604 KX-3H FNR CDRH BT134 STW R16110 PIC10 1.5ke zl201 AT45 BTA DEGSON DS13 EmKit STM32F1 XML SMCJ ULN2803 TPIC CNC Driver Лента 5050 RUEF hcpl HEF HFA IDC IRFZ MBR XBDA MCP M-PCB NCP TFF Хлорное железо P6AU ULN2003 NES WH2004 HCF ToyoLED BTB ADM 3296 LM317 PIC12 NS39 MUR L78xx KSDA ISO7 IRLZ IR21xx HopeRF XTEA STM32F0 24C16 KX-K LM324 Стеклотекстолит KX-49 IRLML Энкодер RXEF NTC NE5532 LM1117 MJE LMX Лента светодиодная RFM qss960 POSITIV 20 zl210 STM32F2 E30361 BZV55 G6S BAV99 zl262 CYNEL Мастер Кит zl263 MOSFET Двигатели POLOLU EEMB EPCOS solar sma  ON Semiconductor National Fairchild FreeScale WIZNET Vishay ZETEX AVAGO RGB wdr

^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП