КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     

Склад обновлен: 15 апреля 2019 г

ICQ: 624305018
 

 

EnglishRussianUkrainian

Случайный товар: DS1014-20SF1B - Разъемы IDC/BH шаг 2 мм
Гнездо, IDC, папа , PIN: 20, прямой, THT, gold flash, 2мм

Перейти в корзину

 

International Rectifier Corporation
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых полупроводниковых компонентов

Полное наименование: International Rectifier Corporation
Веб сайт: www.irf.com
Перечень поставляемой продукции

 

В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.

 

Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET

Смотри на складе MOSFET транзисторы
в корпусе DirectFET

Таблица 1. MOSFET-транзисторы в корпусах DirectFET

Модель

Корпус VDS, В Vgs max, В RDS(on) max 10 В, mOhms ID @ TA=25°C, A Qg Typ, nC Qgd Typ, nC

купить - жми ниже на ссылку

IRF6714M

DirectFET MX 25 20 2,1 29,0 29,0 8,3

IRF6716M

DirectFET MX 25 20 1,6 39,0 39,0 12,0

IRF6711S

DirectFET SQ 25 20 3,8 19,0 13,0 4,4

IRF6674

DirectFET MZ 60 20 11,0 13,4 24,0 8,3

IRF7779L2

DirectFET L8 150 20 11,0 11,0 97,0 33,0

IRF7759L2

DirectFET L8 75 20 2,3 26,0 200,0 62,0

IRF7749L2

DirectFET L8 60 20 1,5 33,0 200,0 71,0

IRF6775M

DirectFET MZ 150 20 56,0 4,9 25,0 6,6

IRF6795M

DirectFET MX 25 20 1,8 32,0 35,0 10,0

IRF6645

DirectFET SJ 100 20 35,0 5,7 14,0 4,8

IRF6785

DirectFET MZ 200 20 100,0 3,4 26,0 6,9

IRF6712S

DirectFET SQ 25 20 4,9 17,0 13,0 4,4

IRF7665S2

DirectFET SB 100 20 62,0 4,1 8,3 3,2

IRF6722S

DirectFET ST 30 20 7,7 13,0 11,0 4,1

IRF7769L2

DirectFET L8 100 20 3,5 20,0 200,0 110,0

IRF6722M

DirectFET MP 30 20 7,7 13,0 11,0 4,3

IRF6643

DirectFET MZ 150 20 34,5 6,2 39,0 11,0

IRF6721S

DirectFET SQ 30 20 7,3 14,0 11,0 3,7

IRF6718L2

DirectFET L2 25 20 0,70 61,0   64,0

IRF6646

DirectFET MN 80 20 9,5 12,0 36,0 12,0

IRF6616

DirectFET MX 40 20 5,0 19,0 29,0 9,4

IRF6613

DirectFET MT 40 20 3,4 23,0 42,0 12,7

IRF6691

DirectFET MT 20 12 1,8 32,0 47,0 15,0

IRF6668

DirectFET MZ 80 20 15,0   22,0 7,8

IRF6797M

DirectFET MX 25 20 1,4 36,0 45,0 13,0

IRF6725M

DirectFET MX 30 20 2,2 28,0 36,0 11,0

IRF6648

DirectFET MN 60 20 7,0   36,0 14,0

IRF6715M

DirectFET MX 25 20 1,6 34,0 40,0 12,0

IRF6726M

DirectFET MT 30 20 1,7 32,0 51,0 16,0

IRF6710S2

DirectFET S1 25 20 5,9 12,0 8,8 3,0

IRF6709S2

DirectFET S1 25 20 7,8 12,0 8,1 2,8

IRF6798M

DirectFET MX 25 20 1,3 37,0 50,0 16,0

IRF6662

DirectFET MZ 100 20 22,0 8,3 22,0 6,8

IRF6717M

DirectFET MX 25 20 1,25 38,0 46,0 14,0

IRF7799L2

DirectFET L8 250 30   6,6 110,0 39,0

IRF6729M

DirectFET MX 30 20 1,8 31,0 42,0 14,0

IRF7739

DirectFET L8 40 20 1,0 46,0 220,0 81,0

IRF6665

DirectFET SH 100 20 62,0 4,2 8,7 2,8

IRF6727M

DirectFET MX 30 20 1,7 32,0 49,0 16,0

IRF6720S2

DirectFET S1 30 20 8,0 11,0 7,9 2,8

IRF6614

DirectFET ST 40 20 8,3 12,7 19,0 6,0

IRF6644

DirectFET MN 100 20 13,0 10,3 35,0 11,5

IRF6655

DirectFET SH 100 20 62,0 4,2 8,7 2,8

IRF6724M

DirectFET MX 30 20 2,5 27,0 33,0 10,0

IRF6641

DirectFET MZ 200 20 59,9 4,6 34,0 9,5

IRF6794M

DirectFET MX 25 20 3,0 32,0 31,0 11,0

IRF6713S

DirectFET SQ 25 20 3,0 22,0 21,0 6,3

Объединив преимущества технологии корпусирования DirectFET и технологии TrenchFET Gen10.59, компания IR приступила к началу производства нового поколения МОП-транзисторов DirectFET-2. Обновление номенклатуры коснулось диапазона напряжений «сток-исток» 25...30 В. Транзисторы нового поколения производятся в тех же корпусах, что позволяет произвести модернизацию и поднять КПД преобразования без изменения печатной платы.  

В настоящее время MOSFET-транзисторы являются одними из самых широко применяемых силовых приборов. Они используются в системах электропитания серверов, рабочих станций и универсальных ЭВМ (в качестве силовых коммутирующих элементов синхронных понижающих преобразователей), блоках питания ноутбуков, в шинных преобразователях телекоммуникационного оборудования и систем передачи данных, в электроприводах различного назначения, в аудиотехнике (силовые каскады усилителей класса D).

Условия жесткой конкурентной борьбы требуют от конструкторов, с одной стороны, обеспечить высокую эффективность разрабатываемых изделий, с другой - минимально возможные энергопотребление и габариты, и при этом - максимально снизить себестоимость конечных изделий. Силовые ключи, основная ниша использования MOSFET-транзисторов, безусловно - весьма чувствительная к названным факторам часть изделия.

Изначально основные усилия разработчиков мощных MOSFET-транзисторов были направлены на совершенствование структуры ячеек, повышение плотности их упаковки, оптимизацию технологических процессов с тем, чтобы:

  • Минимизировать значение сопротивления открытого канала транзистора RDS(ON), поскольку этот параметр непосредственно влияет на количество энергии, уходящей в рассеиваемое прибором тепло;

  • Минимизировать значение заряда затвора QG, поскольку этот фактор определяет максимальную частоту коммутации ключа (и, как следствие, его эффективность).

Эти усилия привели к ощутимым положительным результатам. Однако в какой-то момент стал очевиден следующий факт - вклад конструкции корпуса (сопротивление выводов, адгезивных материалов, используемых для присоединения кристалла к основанию корпуса, золотых проволочных соединений) в сопротивление RDS(ON) оказывается сопоставимым с вкладом кремния. Кроме того, выводы и герметики стандартных корпусов, таких как TSSOP и SOIC, приводят к увеличению площади, объема и массы транзистора. Поэтому сегодня значительные усилия разработчиков направлены именно на совершенствование корпусов MOSFET-транзисторов.

Высокая эффективность корпуса обеспечивается рядом параметров: малым активным сопротивлением выводов, малым температурным сопротивлением, низким уровнем паразитных факторов. Сюда надо добавить следующие факторы: максимальную площадь теплового и электрического контакта с печатной платой, удобную топологию выводов (для параллельного соединения транзисторов) и, конечно, минимальные габариты корпуса.

До определенного времени работы по повышению эффективности корпусов мощных MOSFET-транзисторов шли в двух направлениях:

  • Разработка различных вариантов корпусов на базе корпуса SO-8;

  • Разработка вариантов приборов с многорядным расположением шариковых контактов в корпусах типа BGA или бескорпусных FlipChip.

Однако к кардинальным изменениям в повышении эффективности корпусов эти направления не привели. И только предложенная компанией International Rectifier технология DirectFET обеспечила прорыв на пути достижения рекордно высоких показателей эффективности корпуса. На рисунке 1 представлена структура MOSFET-транзистора в корпусе DirectFET.

Структура транзистора в корпусе DirectFET

 

Рис. 1. Структура транзистора в корпусе DirectFET

Смотри на складе MOSFET транзисторы
в корпусе DirectFET

На рисунке 2 приведен внешний вид и модификации корпусов DirectFET. В этой технологии используется специфический кристалл транзистора с двусторонним расположением выводов: площадка затвора и, как правило, несколько площадок истока с одной стороны и сток - с другой. Соединение стока с печатной платой обеспечивается с помощью медной крышки-зажима, на которой и размещен кристалл транзистора. В зависимости от размеров крышки существуют три группы корпусов: small (малые), medium (средние) и large (большие). В каждой из групп существуют различные модификации в зависимости от размера кристалла, позиционирования на крышке и числа контактных площадок. Маркировка, размеры, расположение выводов и рекомендуемая топология печатной платы приведены в [1].

 

Внешний вид и модификации корпусов DirectFET

 

Рис. 2. Внешний вид и модификации корпусов DirectFET

В корпусах DirectFET отсутствует разварка кристалла (соединение проводниками площадок транзистора с внешними выводами). Основными преимуществами DirectFET являются:

  • Оптимальные размеры корпуса;

  • Ультранизкое электрическое сопротивление выводов;

  • Низкое температурное сопротивление, высокая рассеивающая способность корпуса;

  • Низкая паразитная индуктивность корпуса.

Оптимальные размеры корпуса. Начнем с «малой группы». По площади корпус DirectFET «S» сравним с TSSOP-8, но за счет низкого профиля объем меньше на 44%. По сравнению с SO-8 площадь меньше на 40%. «Средняя» группа по площади сравнима с SO-8, но объем меньше на 60%. По сравнению с D-Pak площадь меньше на 54%. «Большая» группа: по площади выигрыш у D-Pak - 10%, у D2Pak - 63%. Для всех групп минимальная высота равна 0,7 мм.

Электрическое сопротивление выводов. В транзисторах DirectFET электрический ток протекает по кратчайшему расстоянию  - через кристалл и крышку корпуса, что иллюстрируется рисунком 3. У транзисторов в корпусах SO-8, D-Pak и их разновидностях ток, кроме того, протекает через проводники разварки кристалла и выводы корпуса.

Сравнение электрического сопротивления выводов для различных корпусов транзисторов

 

Рис. 3. Сравнение электрического сопротивления выводов для различных корпусов транзисторов

Смотри на складе MOSFET транзисторы
в корпусе DirectFET

 

Электрическое сопротивление корпуса DirectFET менее 0,1 мОм, что более чем в 14 раз ниже, чем у классического корпуса SO-8. По сравнению с другими корпусами - выигрыш в 3,5...12 раз. Отметим, что у DirectFET сопротивление выводов гораздо ниже электрического сопротивления открытого канала RDS(ON).

Низкое температурное сопротивление. У транзисторов в пластмассовых корпусах отвод тепла от кристалла осуществляется только через выводы корпуса. Так, для корпусов SO-8 температурное сопротивление между кристаллом и печатной платой составляет 20°С/Вт. Для корпусов DirectFET аналогичный параметр составляет 1°С/Вт, поскольку площадь отвода тепла существенно выше. Аналогично, температурное сопротивление между кристаллом и верхней поверхностью корпуса для SO-8 составляет 55°С/Вт, а для DirectFET 3°С/Вт. Уже только из этих соображений температура корпуса DirectFET работающего транзистора может быть ниже (вплоть до разницы в 50°С), чем у корпуса SO-8. Рисунок 4 иллюстрирует возможности отвода тепла с корпусов DirectFET: обдувом, радиатором и теплопроводящей пленкой.

 

Способы отвода тепла с корпусов DirectFET

 

Рис. 4. Способы отвода тепла с корпусов DirectFET

Низкая паразитная индуктивность корпуса. Из-за отсутствия проводников разварки кристалла корпуса DirectFET имеют самую низкую среди корпусов паразитную индуктивность. Она не превышает 5 нГн на частотах до 5 МГц, что втрое ниже, чем у корпуса SO-8, в пять раз ниже, чем у корпуса D-Pak и в 10 раз ниже, чем у D2Pak. Низкая паразитная индуктивность обеспечивает высокое качество переходных процессов в режимах переключения транзистора и возможность работы на высоких частотах ШИМ. На рисунке 5 представлены осциллограммы, иллюстрирующие влияние паразитной индуктивности на качество переходных процессов для корпусов DirectFET и SO-8.

 

Влияние паразитной индуктивности на качество переходных процессов

 

Рис. 5. Влияние паразитной индуктивности на качество переходных процессов

Ультранизкое сопротивление открытого канала и низкий заряд затвора обеспечивают достижение КПД преобразования выше 90% в одно- и многофазных DC/DC-конверторах, применяемых в компьютерной технике.

Удобство монтажа на печатную плату. Монтаж корпусов DirectFET на печатную плату иллюстрируется рисунком 6. В отличие от разработанных ранее типов корпусов для поверхностного монтажа взаимное расположение выводов DirectFET позволяет выполнить конструкцию проводников на печатной плате в виде трех параллельных шин, на которые удобно монтируются корпуса при параллельном соединении.

Монтаж корпусов DirectFET на печатную плату

 

Рис. 6. Монтаж корпусов DirectFET на печатную плату

Смотри на складе MOSFET транзисторы
в корпусе DirectFET

 

Достаточные (для всех модификаций) размеры контактных площадок истока, стока и затвора, расстояния между ними и допуска на посадку дают возможность использовать все материалы и технологии производства и монтажа печатных плат. За счет большой площади контакта и взаимного расположения контактных площадок достигается высокая механическая прочность соединения корпуса с платой, улучшенная электрическая и тепловая проводимость с корпуса на плату.

Номенклатура изделий. Номенклатура транзисторов в корпусах DirectFET перекрывает диапазон напряжений 20...200 В. Это позволяет применять их в преобразовательных устройствах со всеми номиналами напряжения батарейного питания и напряжений телекоммуникационных шин. Параметры транзисторов DirectFET представлены в таблице 1.

Многофазные DC/DC-конверторы, применяемые в вычислительной технике, телекоммуникации, управлении приводами стали в последние годы тем объектом, где выясняется подлинная эффективность современных мощных MOSFET-транзисторов. Для их создания привлекаются все новейшие достижения как в технологиях производства кристаллов и корпусирования, так и в схемотехнике. Стремительное приближение потребления (современными устройствами новейших поколений) тока к отметке 100 А непрерывно повышает сложность решаемых задач при проектировании конверторов.

Подведем итоги:

  • Транзисторы DirectFET совместимы с требованиями RoHs: корпуса не содержат свинца или бромидов;

  • Низкое температурное сопротивление «кристалл-корпус» позволяет обеспечить эффективный теплоотвод с верхней поверхности корпуса;

  • Низкое температурное сопротивление «кристалл-печатная плата» позволяет обеспечить теплоотвод с площади на печатной плате не более чем у корпусов SO-8;

  • Конструктивное исполнение транзисторов позволяет снизить сопротивление контактов на 90% по сравнению с корпусами SO-8;

  • Низкий профиль по высоте (0,7мм) обеспечивает минимальный объем корпуса;

  • Транзисторы обладают низкой индуктивностью корпуса на высоких частотах;

  • Транзисторы совместимы с традиционным технологическим оборудованием и производственными процессами монтажа печатной платы.

Именно эти достоинства технологии корпусирования DirectFET, разработанной и запатентованной компанией International Rectifier, позволяют создавать изделия, в полной мере соответствующие требованиям настоящего времени.

 

Поставляемые компоненты











ATmega STM32 ADUM MAX232 GAINTA Светодиодные лампы Источники питания CREE International Rectifier stm8 G5LA RS-232 Драйвер светодиода RS-485 USB ATTINY CORTEX JTAG Плата SENSOR Honeywell Talema Программатор OMRON G2RL Sumida Analog Devices WINSTAR Радиаторы  G6D LUKEY MAXIM MDR STTH EEPROM NXP Индикаторы AVR GEYER IRF IRG4 G2R IGBT GPS GSM G6K MICRA Контактная плата Microchip TDA CTQ DISCOVERY резонатор G5LE ADM485 паяльник RASPBERRY линза ГЕРКОН Осциллограф P10CU RCH TNY TOP ХИМИЯ SMARTPROG2 G6Y металлоискатель WAGO DEGSON DSO QUAD MP-S300B ИОНИСТОР arduino BNC Варистор Прожектор CHRONOS Клавиатура supersilent тумблер соленоид strada chemet RJ-45 c8051 BOURNS G6R 91sam7s G5NB ATMEL ALPR Sunon EPM G5Q sonar G6B MSP430 UDS HIH LPC zl320 AD711 7805 STP JADE II PTC D-SUB MAX44 sim900 uni-s UNI-M Allegro cosmo pic24 ATXmega TMS320 переключатель датчик тока датчик усилия 1N4007 ds18b20 Батарейный отсек шаговый двигатель сервопривод AT89C AT89S AT90PWM AT90CAN AT90USB AT91SAM DRP разрядник bourns Texas Instruments АКЦИЯ XML-2 HE-1202 EPS-15 Детектор газа OSRAM sht 3590s cny arpl lmv mc33 ST-LINK rail-to-rail BEEPROG корпус герметичный hf41f pinguino pickit TFT Bright LED WIELAND STM32VLDISCOVERY TE Connectivity skkt TR91 EPM3 M24LR-DISCOVERY NCR Держатель светодиода SMAJ WG12864 Индикаторный светодиод zl322 TIP Радиатор ADG TLP WG320240 TACT 74LVC RS-15 PIC16 NS25 MOC MMBT MPSA MCDR P6KE STM32F4 TFM CXA2011 MC34 MBRS SMBJ MURS MBRA 78L05 KXO-210 FTDI KBPC IRLR IRFP AT24 P10AU ACS712 SN74HC G5V 78L12 LM358 IRF3205 LM2575 BT137 AD7705 WH1602 78L12 3842 TECAP PIC18 G6Z PC817 STM32F3 MPX MCP6 WH1604 KX-3H FNR CDRH BT134 STW R16110 PIC10 1.5ke zl201 AT45 BTA DEGSON DS13 EmKit STM32F1 XML SMCJ ULN2803 TPIC CNC Driver Лента 5050 RUEF hcpl HEF HFA IDC IRFZ MBR XBDA MCP M-PCB NCP TFF Хлорное железо P6AU ULN2003 NES WH2004 HCF ToyoLED BTB ADM 3296 LM317 PIC12 NS39 MUR L78xx KSDA ISO7 IRLZ IR21xx HopeRF XTEA STM32F0 24C16 KX-K LM324 Стеклотекстолит KX-49 IRLML Энкодер RXEF NTC NE5532 LM1117 MJE LMX Лента светодиодная RFM qss960 POSITIV 20 zl210 STM32F2 E30361 BZV55 G6S BAV99 zl262 CYNEL Мастер Кит zl263 MOSFET Двигатели POLOLU EEMB EPCOS solar sma  ON Semiconductor National Fairchild FreeScale WIZNET Vishay ZETEX AVAGO RGB wdr

^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП