|
 Компания
International Rectifier, мировой лидер в производстве технологий
управления питанием, объявила о разработке четырех новых моделей
биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).
Новые IGBT транзисторы, выполненные по
траншейной технологии, имеют высокую плотность тока и могут пропускать
RMS ток, уровень которого на 60% превышает ток, обычно допустимый для
модулей в таком же корпусе.
Со встроенным диодом со сверхбыстрым
временем восстановления, транзисторы имеют низкое напряжение насыщения
коллектор-эмиттер и малые полные потери на переключение. Благодаря
низкому напряжению коллектор-эмиттер и малой энергии переключения,
траншейные IGBT транзисторы имеют малую мощность рассеяния и высокую
энергонапряженность при широком диапазоне частот срабатывания, поэтому
могут использоваться в приводах кондиционеров, холодильных
компрессорах, пылесосах, стиральных машинах, посудомоечных машинах,
вентиляторах, а также в промышленных приводах и циркуляционных
насосах.
Также, новые транзисторы имеют более
широкую «квадратную» область напряжения обратного смещения в зоне
безопасной работы, обеспечивают бесперебойную работу при температуре
до 175°C, имеют положительный температурный коэффициент, высокий
коэффициент dv/dt (10 кВ/мкс) и малые электромагнитные помехи.
Уменьшенная мощность внутренних потерь
позволяет на 50% сократить размер радиатора при сохранении полезной
мощности.
Описание
-
Для инверторов и систем управления
электродвигателями
-
В инверторах мощность рассеяния улучшена
на 60%
-
В системах управления электродвигателями
мощность рассеяния сокращена до 2.5 кВт
-
Встроенный диод со сверхбыстрым временем
восстановления
-
Низкое напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
-
Макс. рабочая температура 175°C
-
Расчетная мощность КЗ 5 мкс
-
Соответствие RoHS
|
