Производитель:

Diodes Incorporated

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Вид монтажа:

Through Hole

Корпус:

TO-92-3

Полярность транзистора:

NPN

Конфигурация:

Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

120 V

Напряжение коллектор-база (VCBO):

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

500 mV

Максимальный постоянный ток коллектора:

500 mA

Pd - рассеивание мощности:

1 W

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

130 MHz

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Максимальная рабочая температура:

+ 200 C

Серия:

ZTX694

Непрерывный коллекторный ток:

0.5 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:

500 at 100 mA, 2 V