КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
STP42N65M5
MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 33 А: Rси(вкл): 79 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 100 нКл

На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-220
код товара: 00-00031262

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 2 шт
от 5 шт


от 10 шт

470,50
438,95
407,60

387,22

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов


Основные характеристики

Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 79 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Заряд затвора 100 нКл

Specifications of STP42N65M5

Fet Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide Fet Feature Standard
Rds On (max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 16.5A, 10V Drain To Source Voltage (vdss) 650V
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 33A Vgs(th) (max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (qg) @ Vgs 100nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds 4650pF @ 100V
Power - Max 190W Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220 Transistor Polarity N Channel
Continuous Drain Current Id 33A Drain Source Voltage Vds 710V
On Resistance Rds(on) 0.07ohm Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs Typ 4V Configuration Single
Resistance Drain-source Rds (on) 0.079 Ohm @ 10 V Drain-source Breakdown Voltage 650 V
Gate-source Breakdown Voltage +/- 25 V Continuous Drain Current 33 A
Power Dissipation 190000 mW Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style Through Hole Minimum Operating Temperature - 55 C
 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-220 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-220
TC-025-CERAMIC-TO-220 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-220. Размеры: (0.635)/1mm*14mm*20mm
NIPPEL-TO220-WHITE - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO220
SMICA TO220 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 18x13мм для TO220
TO220-SET - Изоляционный материал
Набор для изоляции транзисторов TO220
Mica Sheet (HOLE) 13x18x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 13x18 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT

Транзисторы RF силовые


Полный перечень транзисторов STM

MOSFET транзисторы от STMICROELECTRONICS

на складе в Харькове

Силовые транзисторы MOSFET – то поле, на котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном оборудовании.

   

Система маркировки MOSFET-транзисторов STMicroelectronics, представленная на рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте - максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология изготовления.

серии транзисторов на складе:
STB / STD / STF / STP / STW

Компания STMicroelectronics постоянно совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов STMicroelectronics включает MOSFET-транзисторы для работы с напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных транзисторов.

Портфолио MOSFET-транзисторов STMicroelectronics включает в себя p- и n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и др.).


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП