|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
|
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT
STGF15H60DF
IGBT транзистор, 30 А, 1.6 В, 30 Вт, 600 В
На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-220FP
код товара: 00-00064164
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор IGBT
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
|
Производитель |
STMicroelectronics
|
|
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
Технология |
Si |
|
Тип корпуса |
TO-220-3 FP
|
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
600 V
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
1.6 V
|
|
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер |
20 V |
|
Непрерывный
коллекторный ток при 25 C |
30 A |
|
Pd - рассеивание
мощности |
30 W |
|
Рабочая температура |
- 55 C ... + 175
C |
|
Непрерывный ток
коллектора Ic, макс. |
15 A |
|
Ток утечки
затвор-эмиттер |
250 nA
|
| | |
|
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является
продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает
в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре:
биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал
управления). Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics
включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов,
IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых
драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и
IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем
управления электродвигателями электромобилей. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
