КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
STF45N10F7
МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 4.5 В
На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-220FP
код товара: 00-00060484
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
|
Производитель |
STMicroelectronics
|
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Тип
корпуса |
TO-220FP-3
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
100 V
|
|
Id - непрерывный ток
утечки |
30 A |
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
18 mOhms
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
4.5 V
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
20 V |
|
Qg - заряд затвора |
25 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 175 C
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
25 W |
|
Конфигурация |
Single
|
|
Коммерческое
обозначение |
STripFET
|
|
Серия |
STF45N10F7
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Торговая марка |
STMicroelectronics
|
|
Время спада |
8 ns |
|
Время нарастания |
17 ns
|
|
Типичное время
задержки выключения |
24 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
15 ns |
| | |
|
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
|
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
 |
| |
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
 |
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
|
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
