КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
	
		| 
		 Серии источников питания HDR на DIN рейку с 
		ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 
		100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт 
		
		HDR-15   
		HDR-30   
		HDR-60   
		HDR-100   
		HDR-150   		
		  | 
		
		 
		 
		 
		   | 
	 
 
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |       .jpg)  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор полевой MOSFET STD5NM50T4 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 500В: 4,7А: 100Вт
  На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-252(DPAK) код товара: 00-00031198
 
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор полевой MOSFET
  
 
  |      |   |   | 
	
		
			| 
			 
			
			   | 
			
			 
			STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна 
			из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей 
			различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных 
			компонентов  | 
		 
	 
 
 
	
		| 
		 Категория продукта  | 
		
		  МОП-транзистор
		  | 
	 
	
		| 
		 Производитель  | 
		
		  STMicroelectronics
		  | 
	 
	
		| 
		 Технология  | 
		
		  Si   | 
	 
	
		| 
		 Вид монтажа  | 
		
		  SMD/SMT 
		  | 
	 
	
		| 
		 Корпус  | 
		
		  TO-252-3 
		  | 
	 
	
		| 
		 Количество каналов  | 
		
		  1 Channel 
		  | 
	 
	
		| 
		 Полярность 
		транзистора  | 
		
		  N-Channel 
		  | 
	 
	
		| 
		 Vds - напряжение 
		пробоя сток-исток  | 
		
		  500 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Id - непрерывный ток 
		утечки  | 
		
		  7.5 A 
		  | 
	 
	
		| 
		 Rds Вкл - 
		сопротивление сток-исток  | 
		
		  800 mOhms 
		  | 
	 
	
		| 
		 Vgs - напряжение 
		затвор-исток  | 
		
		  30 V   | 
	 
	
		| 
		 Минимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  - 55 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Максимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  + 150 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Конфигурация  | 
		
		  Single 
		  | 
	 
	
		| 
		 Квалификация  | 
		
		  AEC-Q100 
		  | 
	 
	
		| 
		 Канальный режим  | 
		
		  Enhancement
		  | 
	 
	
		| 
		 Время спада  | 
		
		  6 ns   | 
	 
	
		| 
		 Высота  | 
		
		  2.4 mm 
		  | 
	 
	
		| 
		 Длина  | 
		
		  6.6 mm 
		  | 
	 
	
		| 
		 Pd - рассеивание 
		мощности  | 
		
		  100 W 
		  | 
	 
	
		| 
		 Время нарастания  | 
		
		  8 ns   | 
	 
	
		| 
		 Серия  | 
		
		  STD5NM50 
		  | 
	 
	
		| 
		 Тип транзистора  | 
		
		  1 N-Channel
		  | 
	 
	
		| 
		 Тип  | 
		
		  MOSFET 
		  | 
	 
	
		| 
		 Типичное время 
		задержки при включении  | 
		
		  16 ns 
		  | 
	 
	
		| 
		 Ширина  | 
		
		  6.2 mm  | 
	 
 
  |   |   |   
 -4.jpg) 
 
 
 -5.jpg) 
  
  
    
      | 
       MOSFET 
      транзисторы от STMICROELECTRONICS  | 
      
      на складе в Харькове | 
     
    
      | 
       Силовые 
      транзисторы MOSFET – то поле, на 
      котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности 
      энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это 
      радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного 
      расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти 
      транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах 
      коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном 
      оборудовании.  | 
      
      
        | 
     
    
      |   | 
        | 
     
    
      | 
       Система 
      маркировки MOSFET-транзисторов
      STMicroelectronics, представленная на 
      рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте - 
      максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология 
      изготовления. 
      
         | 
      
       
      серии транзисторов на складе:  
      STB /
      STD /
      STF /
      STP /
      STW  | 
     
    
      | 
       Компания 
      STMicroelectronics постоянно 
      совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и 
      низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов 
      STMicroelectronics включает
      MOSFET-транзисторы для работы с 
      напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы 
      с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных 
      транзисторов. 
       
      Портфолио MOSFET-транзисторов 
      STMicroelectronics включает в себя p- и 
      n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью 
      затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более 
      чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220, 
      TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и 
      др.).  | 
     
   
 
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП