Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Микросхемы управления питанием NCV8402ASTT1G NCV8402 — Драйвер нижнего плеча с защитой и ограничением по температуре и току На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: SOT-223 код товара: 00-00062019
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
MOSFET-транзистор для управления вторичными цепями
NCV8401/02/03/05
отличаются защитой по температуре и току и предназначены для работы в
составе высоконадежных систем
Данные драйверы представляют отличный выбор для управления резистивной,
индуктивной и емкостной нагрузками в автомобильной и промышленной
электронике.
Дополнительными защитными функциями являются защита затвора и
ограничительная защита от перенапряжений на стоке. Серия характеризуется
низким сопротивлением открытого канала 23…165 мОм, исполнениями в
корпусах SOT-223, DPAK и SO-8, максимальными токами до 33 А. Драйверы
разработаны для использования в 24 В – системах, максимальное стоковое
напряжение равно 42 В.
Компоненты
для автомобильных приложений
Также стоит обратить внимание что данный транзистор соответствует
стандартам применяемых к компонентам автомобильной электроники -
Automotive qualification AEC-Q101.
Эта группа разработана Automotive
Electronic Committee (AEC). AECQ101 уделяет внимание таким параметрам
как защита микросхем от статических разрядов, способность к пайке,
способность памяти к сохранению информации, надежность и другие.
Требования к компонентам, применяемым в автомобильных приложениях, выше,
чем в других областях электроники. Это связано с более жестким
температурным режимом эксплуатации и высоким уровнем помех.
Характеристики
NCV8402ASTT1G:
Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Тип корпуса: SOT-223-3
Количество каналов: 2 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 42 V
Id - непрерывный ток утечки: 2 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 200 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.3 V
Рабочая температура:- 40...150 С
Pd - рассеивание мощности: 1.7 W
Конфигурация: Dual
Канальный режим: Enhancement
Квалификация: AEC-Q101
Тип транзистора: 2 N-Channel
Время спада:50 us
Время нарастания:120 us
Типичное время задержки выключения:20 us
Типичное время задержки при включении:25 us