|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | .jpg)
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IR MOSFET N-Канал
IRLR3636PBF
Высокоскоростной мощный ключ, 60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak
На складе в Харькове...
Производитель: INFIN
код товара: 00-00032410
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12 | Раздел:
Транзистор IR MOSFET N-Канал
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRLR3636PBF
Specifications of IRLR3636PBF
|
| Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
6.8 mohm @ 50A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
60V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
50A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
49nC @ 4.5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
3779pF @ 50V |
| Power - Max |
143W |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Transistor Polarity |
N-Channel |
| Resistance Drain-source Rds (on) |
8.3 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
60 V |
| Gate-source Breakdown Voltage |
16 V |
Continuous Drain Current |
99 A |
| Power Dissipation |
143 W |
Mounting Style |
SMD/SMT |
| Gate Charge Qg |
33 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
