Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 Infineon

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 TO-252-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 55 V

Id - непрерывный ток утечки

 36 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 40 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 16 V

Qg - заряд затвора

 32 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 175 C

Конфигурация

 Single

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 15 ns

Высота

 2.3 mm

Длина

 6.5 mm

Pd - рассеивание мощности

 69 W

Время нарастания

 84 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Тип

 HEXFET Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

 26 ns

Типичное время задержки при включении

 11 ns

Ширина

 6.22 mm

Другие названия товара №

 SP001572902