Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости перейти в раздел "Конденсаторы" 0,033mkf - 0,047mkf - 0,068mkf - 0,01mkf - 0,1mkf - 0,22mkf - 0,33mkf - 0,47mkf - 0,68mkf - 1mkf - 2,2mkf - 3,3mkf - 4,7mkf - 10mkf - 22mkf - 33mkf - 47mkf - 68mkf - 82mkf - 100mkf - 120mkf - 150mkf - 220mkf - 330mkf - 470mkf - 560mkf - 680mkf - 820mkf - 1000mkf - 1500mkf - 2200mkf - 3300mkf - 4700mkf - 6800mkf - 10000mkf - 15000mkf - 22000mkf - 33000mkf - 47000mkf - 68000mkf - 100000mkf - 220000mkf - 330000mkf - 470000mkf - 680000mkf - 1000000mkf Ёмкость, мкф Все 0,033 0,047 0,068 0,01 0,1 0,22 0,33 0,47 0,68 1 2,2 3,3 4,7 10 22 33 47 68 82 100 120 150 220 330 470 560 680 820 1000 1500 2200 3300 4700 6800 10000 15000 22000 33000 47000 68000 100000 220000 330000 470000 680000 1000000 Напряжение, В Все 6,3v 10v 16v 25v 35v 50v 63v 100v 160v 200v 250v 350v 400v 450v Диаметр, мм Все 3 4 5 6,3 8 10 11 12 12.5 13 16 18 22 25 30 34 35 40 51 64 76 89 90

Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Временно нет на складе... код товара: Кол-во Цена без НДС, грн Купить от шт Раздел:   Specifications of IRF840ASTRRPBF Fet Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide Fet Feature Standard Rds On (max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V Drain To Source Voltage (vdss) 500V Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 8A Vgs(th) (max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (qg) @ Vgs 38nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds 1018pF @ 25V Power - Max 3.1W Mounting Type Surface Mount Package / Case D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) Transistor Polarity N Channel Continuous Drain Current Id 8A Drain Source Voltage Vds 500V On Resistance Rds(on) 850mohm Rds(on) Test Voltage Vgs 10V Leaded Process Compatible Yes Peak Reflow Compatible (260 C) Yes Rohs Compliant Yes Configuration Single Resistance Drain-source Rds (on) 0.85 Ohms Drain-source Breakdown Voltage 500 V Gate-source Breakdown Voltage +/- 30 V Continuous Drain Current 8 A Power Dissipation 3.1 W Maximum Operating Temperature + 150 C Specifications of IRF9310PBF Fet Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide Fet Feature Logic Level Gate Rds On (max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V Drain To Source Voltage (vdss) 30V Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 20A Vgs(th) (max) @ Id 2.4V @ 100µA Gate Charge (qg) @ Vgs 165nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds 5250pF @ 15V Power - Max 2.5W Mounting Type Surface Mount Package / Case 8-SOIC (3.9mm Width) Transistor Polarity P Channel Drain Source Voltage Vds -30V On Resistance Rds(on) 3.9mohm Rds(on) Test Voltage Vgs -10V Operating Temperature Range -55°C To +150°C Transistor Case Style SOIC Rohs Compliant Yes Resistance Drain-source Rds (on) 6.8 mOhms Drain-source Breakdown Voltage - 30 V Gate-source Breakdown Voltage 20 V Continuous Drain Current - 20 A Power Dissipation 2.5 W Mounting Style SMD/SMT Gate Charge Qg 58 nC Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП