Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET HYG025N06LS1C2 60V 170A 2.1m?@10V 130W 2.1V 1 N-channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs Временно нет на складе... Производитель: HUAYI Тип корпуса: DFN-8(5.2x5.9) код товара: 00-00078920 СКАЧАТЬ PDF Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 27 шт от 120 шт 20,50 18,47 16,69 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Корпус  DFN-8 (5.2×5.9 мм) Напряжение сток-исток (Vds)  60 В Постоянный ток стока (Id)  170 А Сопротивление сток-исток (RDS(on))  2.1 мΩ при 10 В Рассеиваемая мощность (Pd)  130 Вт Пороговое напряжение затвора (Vgs(th))  2.1 В Обратная проходная ёмкость (Crss)  10.2 пФ Тип  1 N-канальный Входная ёмкость (Ciss)  3.915 нФ при 0 В Заряд затвора (Qg)  59.5 нКл при 10 В Температура эксплуатации  от -55 °C до +175 °C     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП