Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 900 V

Id - непрерывный ток утечки

 9 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 1.4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 3 V

Qg - заряд затвора

 58 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 280 W

Канальный режим

 Enhancement

Коммерческое обозначение

 QFET

Конфигурация

 Single

Время спада

 75 ns

Высота

 20.1 mm

Длина

 16.2 mm

Время нарастания

 120 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 100 ns

Типичное время задержки при включении

 50 ns

Ширина

 5 mm