Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину   Диаметр 10 мм Диаметр 12 мм Диаметр 16 мм Диаметр 19 мм Диаметр 22 мм Диаметр 25 мм Диаметр 30 мм Без подсветки RED подсветка WHITE подсветка BLUE подсветка GREEN подсветка YELLOW подсветка

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET FDV304P P-Channel 25 V 1.5 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3. На складе ... Производитель: ONS-FAIR Тип корпуса: SOT23 код товара: 00-00045934 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 277 шт от 1194 шт 2,00 1,80 1,68 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли. Производитель  Fairchild Semiconductor Категория продукта  МОП-транзистор Полярность транзистора  P-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток  - 25 V Vds - напряжение пробоя затвор-исток  - 8 V Id - непрерывный ток утечки  460 mA Rds Вкл - сопротивление сток-исток  1.1 Ohms Конфигурация  Single Максимальная рабочая температура  + 150 C Pd - рассеивание мощности  350 mW Вид монтажа  SMD/SMT Корпус  SOT-23-3 Канальный режим  Enhancement Время спада  8 ns Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.  0.8 S Минимальная рабочая температура  - 55 C Время нарастания  8 ns Серия  FDV304P Типичное время задержки выключения  55 ns     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП