Производитель

 onsemi

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-220-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 500 V

Id - непрерывный ток утечки

 15 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 380 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 30 V, + 30 V

Рабочая температура

 - 55 C ... + 175 C

Pd - рассеивание мощности

 300 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 5 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 10 S

Время нарастания

 5.4 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 26 ns

Типичное время задержки при включении

 9 ns