Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Корпус

 DFN-8-EP (5×6 мм)

Напряжение сток–исток

 40 В

Непрерывный ток стока (Id)

 80 А

Рабочий диапазон температур

 −55…+150 °C

Сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on)

 2,1 мОм @ 10 В, 40 А

Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th))

 2,7 В

Обратная передаточная ёмкость (Crss @ Vds)

 338 пФ @ 20 В

Тип транзистора

 1 N-канальный

Входная ёмкость (Ciss)

 5,734 нФ @ 20 В

Рассеиваемая мощность (Pd)

 61 Вт

Заряд затвора (Qg)

 126 нКл @ 10 В