Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Макс. напряжение drain-source (Uds), В

 85

Макс. напряжение gate-source (Ugs), В

 20

Макс. импульсный ток drain (Id), А

 640

Макс. рассеивающаяся мощность (Pd), Вт

 227

Макс. температура канала (Tj), °C

 150

Сопротивление открытого транзистора (Rds), Ом

 0.0025

Выходная емкость (Cd), pF

 1746

Время нарастания типичное (tr), nS

 108

Макс. постоянный ток drain (Id), А

 208