Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Корпус

 DFN-8 (5×6 мм)

Напряжение сток–исток

 100 В

Непрерывный ток стока (Id)

 100 А

Рабочий диапазон температур

 −55…+150 °C

Сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on)

 3,6 мОм @ 10 В

Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th) @ Id)

 3,8 В @ 250 мкА

Обратная передаточная ёмкость (Crss @ Vds)

 80 пФ

Тип транзистора

 1 N-канальный

Выходная ёмкость (Coss)

 1,025 нФ

Рассеиваемая мощность (Pd)

 139 Вт

Входная ёмкость (Ciss)

 4,743 нФ @ 50 В

Заряд затвора (Qg)

 74,4 нКл @ 10 В