Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Vz - напряжение
туннельного пробоя p-n-перехода
2.4 V
Вид монтажа
Through Hole
Тип корпуса
DO-35-2
Pd - рассеивание
мощности
500 mW
Допустимое
отклонение напряжения
2 %
Температурный
коэффициент напряжения
- 1.6 mV/k
Зенеровский ток
50 uA
Zz - полное
сопротивление диода при лавинном пробое
100 Ohms
Рабочая температура
- 65 C ... + 200
C
Ток испытаний
1 mA
Ir - обратный ток
50 uA
Vf - прямое
напряжение
0.9 V
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина