Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 ON Semiconductor

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-220-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 400 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 700 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 12 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.46 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 5 A

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 BUL45D2

Непрерывный коллекторный ток

 5 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 22

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 34

Высота

 15.75 mm

Длина

 10.53 mm

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Pd - рассеивание мощности

 75 W

Ширина

 4.83 mm