Тип транзистора

 P-канальный MOSFET

Технология

 MOSFET (металл–оксид–полупроводник)

Напряжение сток–исток (Vdss)

 60 В

Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25 °C

 4 А (Ta)

Напряжение управления (для параметров Rds(on))

 4,5 В / 10 В

Максимальное сопротивление открытого канала (Rds(on))

 100 мОм при 4 А и Vgs = 10 В

Максимальный пороговый уровень напряжения затвора (Vgs(th))

 3 В при Id = 250 мкА

Максимальный заряд затвора (Qg)

 20 нКл при Vgs = 10 В

Максимальная входная ёмкость (Ciss)

 1120 пФ при Vds = 30 В

Максимальное напряжение затвор–исток (Vgs)

 ±20 В

Максимальная рассеиваемая мощность

 3,1 Вт (Ta)

Рабочая температура

 От −55 °C до +150 °C

Тип монтажа

 Поверхностный монтаж (SMD)