Производитель

 STMicroelectronics

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

 Single

Полярность транзистора

 NPN

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 1.4 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 20 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 200 kHz

Максимальная рабочая температура

 + 200 C

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-3

Непрерывный коллекторный ток

 20 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 5

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 60

Максимальное рассеяние мощности

 150 W

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Серия

 2N3772