КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     

Склад обновлен: 15 апреля 2019 г

ICQ: 624305018
 

 

EnglishRussianUkrainian

Случайный товар: BSP300 - Транзистор полевой MOSFET
MOSFET транзистор - SOT-223: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 190 мА: Rси(вкл): 20 Ом: @Uзатв(ном) 10 В.

Перейти в корзину

   

International Rectifier Corporation
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых полупроводниковых компонентов

Полное наименование: International Rectifier Corporation
Веб сайт: www.irf.com
Перечень поставляемой продукции

   

   

НОВАЯ СЕРИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ IRFP4XXX С УЛЬТРАНИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ КАНАЛА

 

Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах.

Серия IRFP4xxx на складе:

Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, - уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TO-247AC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства. Производитель рекомендует следующие области применения новых МОП-транзисторов:

 - синхронные выпрямители телекоммуникационных и промышленных преобразователей энергии с напряжением шин питания до 80 В;

 - мощные инверторы постоянного и переменного тока;

 - источники бесперебойного питания (UPS);

 - силовые O'Ring узлы (замена диодов Шоттки в мощных схемах ИЛИ для суммирования выходных токов);

 - привод электроинструмента;

 - промышленный привод постоянного тока с батарейным питанием от 12 до 80 В (электрокары, вилочные подъемники);

 - силовая автоэлектроника - мощные DC/DC-преобразователи для сетей 14 В/42 В, инверторы стартер-генераторов и электромеханических усилителей руля;

 - инверторы солнечных батарей.

Преимущества по отношению к предыдущим поколениям MOSFET

На рисунке 1 представлено сравнение Rds(on) новых транзисторов (выделены желтым цветом) и лучших приборов предыдущего поколения IR (выделены синим цветом).

 

 Сравнение Rds(on) транзисторов новой серии IRFP4xxx и приборов предыдущих

Рис. 1. Сравнение Rds(on) транзисторов новой серии IRFP4xxx и приборов предыдущих поколений

В таблицу 1 сведены для сопоставления основные параметры транзисторов, производимых по новейшей технологии, и некоторых предыдущих серий MOSFET в корпусе ТО-247АС.

Таблица 1. Параметры новых полевых транзисторов IRFP4xxx и транзисторов IR предыдущих поколений в корпусе TO-247AC

Наименование Vси, макс, 
В
Rds(on) 
макс., 
мОм, 
Vзи=10 В
Iстока, 
A, 
  t° = 25°C
Iстока, 
A, 
t° = 100°C
Qg.*, 
тип., 
нКл
Qgd**, 
тип.,
нКл
Rth(JC)***,
К/Вт
Мощ-
ность, 
Вт, макс. 
(при t°=25°C)
IRFP4004PBF(New) 40 1,7 350**** 250**** 220 75 0,40 380
IRFP044N 55 20,0 53 37 40,7 16,0 1,5 100
IRFP1405 55 5,3 160 110 120,0 53,3 0,49 310
IRFP064N 55 8,0 98 69 113,3 50,0 1,0 150
IRFP054N 55 12,0 72 51 86,7 35,3 1,2 130
IRFP048N 55 16,0 62 44 59,3 26,0 1,2 130
IRFP064V 60 5,5 130 95 173,3 62,7 0,60 250
IRFP054V 60 9,0 93 66 113,3 39,3 0,85 180
IRFP3206PBF 60 3,0 200 140 120,0 35,0 0,54 280
IRFP3306PBF 60 4,2 160 110 85,0 26,0 0,67 220
IRFP2907Z 75 4,5 170 120 180,0 65,0 0,49 310
IRFP4368PBF(New) 75 1,8 350**** 250**** 380,0 105,0 0,29 520
IRFP3077PBF 75 3,3 200 140 160,0 42,0 0,44 340
IRFP2907 75 4,5 177 125 410,0 140,0 0,45 330
IRFP4710 100 14,0 72 51 110,0 40,0 0,81 190
IRFP4410ZPBF 100 9,0 97 69 83,0 27,0 0,65 230
IRFP150V 100 24,0 46 32 86,7 28,7 1,1 140
IRFP150N 100 36,0 39 28 73,3 38,7 1,1 140
IRFP140N 100 52,0 27 19 62,7 28,7 1,6 94
IRFP3710 100 25,0 51 36 66,7 17,3 0,83 180
IRFP4310ZPBF 100 6,0 134 95 120,0 35,0 0,54 280
IRFP4468PBF(New) 100 2,6 290**** 200**** 360,0 89,0 0,29 520
IRFP4110PBF 100 4,5 180 130 150,0 43,0 0,40 370
IRFP3415 150 42,0 43 30 133,3 65,3 0,75 200
IRFP4321PBF 150 15,5 78 55 71,0 21,0 0,49 310
IRFP4568PBF(New) 150 5,9 171**** 121**** 151,0 55,0 0,29 517
IRFP4227PBF 200 25,0 65 46 70,0 23,0 0,45 330
IRFP260N 200 40,0 49 35 156,0 73,3 0,50 300
IRFP4668PBF(New) 200 9,7 130 92 161,0 52,0 0,29 520
IRFP90N20D 200 23,0 94 66 180,0 87,0 0,26 580
IRFP250N 200 75,0 30 21 82,0 38,0 0,70 214
IRFP4332PBF 250 33,0 57 40 99,0 35,0 0,42 360
IRFP4229PBF 250 46,0 44 31 72,0 26,0 0,49 310
IRFP4232 250 35,7 60 42 160,0 60,0 0,35 430
IRFP4242PBF 300 59,0 46 33 165,0 61,0 0,35 430
*     Qg - Total Gate Charge - суммарный (полный) заряд затвора 
**    Qgd - Gate-to-Drain («Miller») Charge - заряд затвора, обусловленный эффектом Миллера 
***  Rth(JC) - тепловое сопротивление «переход-корпус» (Junction-to-Case), измеренное 
ри температуре около 90°С
**** Максимальный ток, ограниченный кристаллом 
ток, ограниченный выводами корпуса, см. в документации производителя).

Необходимо обратить внимание на то, что новые транзисторы IRFP4004PBF, IRFP4368PBF, IRFP4468PBF, IRFP4568PBF имеют ограничение тока из-за сопротивления выводов корпуса ТО-247АС, а не из-за кристалла (кристалл способен на гораздо большее). При расчетах схем с этими транзисторами и сравнении с аналогичными приборами целесообразнее ориентироваться на сопротивление канала в открытом состоянии, не забывая об ограничении тока выводами корпуса ТО-247АС. В новой серии появился транзистор IRFP4004PBF с максимальным напряжением сток-исток 40 В (см. рисунок 1), обладающий рекордно низким сопротивлением Rds(on) 1,7 мОм (это максимальное значение, типовое значение обычно еще меньше). Однако за это приходится расплачиваться увеличением заряда затвора, что влечет за собой выбор драйверов MOSFET с большими выходными токами, короткими фронтами и малыми задержками, хотя выбор таких драйверов достаточно велик и обычно не вызывает никаких затруднений. Все новые транзисторы обладают очень низкими значениями теплового сопротивления переход-корпус, что позволяет более эффективно отводить тепло от кристалла. Нужно отметить, что пять новых транзисторов заменяют большое количество транзисторов предыдущего поколения International Rectifier (см. таблицу 1) и некоторые MOSFET известных фирмFairchild, ST, IXYS (см. таблицы 2 и 3).

Таблица 2. Сравнение параметров новых транзисторов IR серии IRFP4xxx с аналогичными от других производителей

Произво-
дитель
Наименова-
ние
Vси, 
макс., 
В
Rds(on) 
макс., 
мОм, 
Vзи=
10 В
Iстока, 
A, 
t°=
25°C
Qg.*, 
тип., 
нКл
Qgd**, 
тип., 
нКл
Rth(JC)
*** 
К/Вт
Мощ- 
ность, 
Вт, 
макс. 
(при 
t°=
25°C)
Корпус (Rds IR)/
(Rds 
другого 
произво-
дителя)
IR IRFP4004PBF 40 1,7 350**** 220,0 75,0 0,40 380 TO-247AC  
Fairchild FDA8440 40 2,1 100 345 74 0,49 306 TO-247AC 0,81
IR IRFP4368PBF 75 1,8 350**** 380,0 105,0 0,29 520 TO-247AC  
Fairchild FD038AN08A1 75 3,5 80 125   0,33 450 TO-247AC 0,51
STM STW220NF75 75 4,4 120 500 135 0,3 460 TO-247AC 0,4
IR IRFP4468PBF 100 2,6 290**** 360,0 89,0 0,29 520 TO-247AC  
Fairchild HUF75652G3 100 8 75 475 74 0,29 515 TO-247AC 0,32
IXYS IXTR200N10P 100 8 120 235   0,5 300 Super247 0,32
IXYS IXFX250N10P 100 6,5 250 205   0,12 1250 Super247 0,31
IR IRFP4568PBF 150 5,9 171**** 151,0 55,0 0,29 517 TO-247AC  
Fairchild HUF7588G3 150 16 75 480 66 0,3 500 TO-247AC 0,4
IXYS IXTQ120N15P 150 16 120 150   0,25 600 TO-3P 0,35
IXYS IXTQ150N15P 150 13 150 190   0,21 714 TO-3P 0,45
IR IRFP4668PBF 200 9,7 130 161,0 52,0 0,29 520 TO-247AC  
Fairchild FQA65N20 200 32 65 200 75 0,4 310 TO-3P 0,3
IXYS IXTH96N20 200 24 96 145   0,25 600 TO-247AC 0,4
IXYS IXTQ120N20 200 22 120 152   0,21 713 TO-3P 0,44
*, **, ***, **** - расшифровка приведена в таблице 1.

 

Таблица 3. Рекомендуемые замены от IR для транзисторов с близкими параметрами других производителей

Произво-
дитель
Наименова-
ние
Прямая
замена 
от IR
Замена 
от IR с 
улучшением 
параметров
Возмож-
ная
замена 
от IR
Корпус 
других 
произво-
дителей
Корпус 
IR
Внешний 
вид 
корпусов
   FDA8440 - IRFP4004PBF - TO-3P TO-247   
FDH038AN08A1 - IRFP4368PBF - TO-247 TO-247
HUF75653G3 - IRFP4468PBF - TO-247 TO-247
HUF75882G3 - IRFP4568PBF - TO-247 TO-247
FQA65N20 - IRFP4668PBF - TO-247 TO-247
   STW200NF75 IRFP4368PBF - - TO-247 TO-247   
   IXTR200N10P - - IRFP4468PBF ISO247 TO-247   
IXFX250N10P - - IRFP4468PBF PLUS247 TO-247
IXTQ120N15P - IRFP4568PBF - TO-3P TO-247
IXTQ150N15P - - - TO-3P TO-247
IXTH96N20 IRFP4668PBF - - TO-247 TO-247
IXTQ120N20 - IRFP4668PBF - TO-3P TO-247

Сравнение новых Trench HEXFET Power MOSFETs с аналогами других производителей

Среди транзисторов с напряжением сток-исток 40 В прибор IRFP4004PBF не имеет аналогов. По сопротивлению канала с ним может конкурировать только транзистор IR в дорогом 7-выводном корпусе для поверхностного монтажа IRF2804S-7P. Самый близкий прибор от другого производителя - этоFDA8440 с сопротивлением канала 2,1 мОм от компании Fairchild (параметры для сравнения приведены в таблице 2). В крайнем правом столбце таблицы 2 для всех транзисторов других производителей указано отношение сопротивлений Rds(on) близкого по параметрам транзистора IR к Rds(on) конкретного транзистора другого производителя. Все эти соотношения меньше 1, что говорит о том, что сопротивление канала транзисторов IR меньше или гораздо меньше аналогичного параметра приборов фирм Fairchild, ST и IXYS.

В диапазоне напряжений сток-исток 55...75 В бесспорным лидером является IRFP4368PBF.Сопротивление канала 1,8 мОм в сочетании с остальными параметрами обеспечивают ему большой отрыв от популярных IRFP044N, IRFP048N и IRFP064N (диапазон 55 В). 75-вольтовый новый транзистор IRFP4368PBF с успехом заменяет 60-вольтовые IRFP064V, IRFP054V, IRFP3206PBF, IRFP3306PBF и очень популярный 75-вольтовый IRFP2907Z. У нового транзистора IRFP4368PBF сопротивление канала снижено в 2,5 раза по сравнению с лучшим прибором IR предыдущего поколенияIRFP2907Z. Ближайшие конкуренты для напряжения 75 В от компаний Fairchild - FD038AN08A1 и от компании ST - STW220NF75 имеют сопротивление канала 3,5 и 4,4 мОм соответственно (см. таблицу 2).

В диапазоне 100 В тон задает IRFP4468PBF c сопротивлением канала 2,6 мОм. 100-вольтовый транзистор IR предыдущего поколения IRFP4110PBF имеет Rds(on) 4,5 мОм, а ближайшие по параметрам 100-вольтовые HUF75652G3 (Fairchild) и IXTR200N100P (IXYS) - 8 мОм, аIXFX250N10P (IXYS) - 6,5 мОм. Однако последние два транзистора фирмы IXYS выпускаются в более дорогих корпусах Super247.

Диапазон 150 В. Здесь в большом отрыве IRFP4568PBF с сопротивлением канала 5,9 мОм. Среди догоняющих - 150-вольтовые HUF75882G3 компании Fairchild с Rds(on) 16 мОм, а также IXTQ120N15P и IXTQ150N15P компании IXYS с сопротивлениями канала 16 и 13 мОм соответственно. Справедливости ради нужно отметить, что транзисторы IXYS производятся в более дорогих корпусах ТО-3Р.

Наконец, мы подошли к диапазону 200 В. Здесь самый сильный игрок - новый транзистор IRFP4668PBF с сопротивлением канала 9,7 мОм, что для 200-вольтовых приборов является эталонным показателем при таком напряжении. Ближайшие транзисторы этого класса FQA65N20 (Fairchild) имеют Rds(on) 32 мОм, а IXTH96N20 и IXTQ120N20 компании IXYS - 24 и 22 мОм соответственно. Однако кристаллы FQA65N20 и IXTQ120N20 упакованы в более дорогие корпуса ТО-3Р, что дает дополнительное преимущество транзистору IRFP4668PBF. 200-вольтовые транзисторы предназначены для работы в телекоммуникационных источниках питания с шиной с постоянным напряжением до 80 В.

В таблице 3 приведены рекомендуемые замены от International Rectifier для МОП-транзисторов компаний Fairchild, ST, IXYS.

В некоторых случаях один новый МОП-транзистор IR может заменить до трех параллельно включенных транзисторов IR предыдущих поколений в диапазоне 100...200 В. Кроме того, при параллельном соединении транзисторов добавляются сопротивления соединительных проводников, которые при токах десятки и сотни Ампер могут существенно ухудшать статические и динамические параметры эквивалентного транзистора. Цена одного нового транзистора меньше стоимости трех параллельно включенных приборов предшествующих поколений. При этом можно уменьшить размер радиатора и снизить температуру в блоке. Следует учесть, что при снижении температуры в блоке на 10 процентов срок службы электролитических конденсаторов удваивается. Как известно, именно электролитические конденсаторы в большинстве случаев определяют время безотказной работы силового преобразователя.

 

Графические зависимости основных параметров 40-вольтового IRFP4004PBF

На рисунке 2 приведены зависимости сопротивления канала в открытом состоянии (максимальное значение при Uзи = 10 В) от температуры перехода и полного заряда затвора Qg от напряжения Uзи для транзистора IRFP4004PBF.

 

Зависимости Rds(on) от температуры перехода, заряда затвора от напряжения затвор-исток для транзистора IRFP4004PBF

 

Рис. 2. Зависимости Rds(on) от температуры перехода, заряда затвора от напряжения затвор-исток для транзистора IRFP4004PBF

Новейшая технология Trench HEXFET обеспечивает низкий рост сопротивления открытого канала от температуры перехода. Новые транзисторы серии IRFPxxx обеспечивают высокие динамические характеристики при низкой мощности управления, устойчивость к лавинному пробою и надежную работу в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот.

На рисунке 3 приведены выходные характеристики IRFP4004PBF (графики снимались при длительности импульсов менее 60 мкс и температурах перехода 25°С и 175°С).

 

Выходные характеристики IRFP4004PBF при длительности импульса менее 60 мкс

 

Рис. 3. Выходные характеристики IRFP4004PBF при длительности импульса менее 60 мкс

Нижние кривые иллюстрируют работу транзистора при управляющем напряжении 4,5 В, что близко к логическим уровням цифровых микросхем с питанием от 5 В.

На рисунке 4 иллюстрируется зависимость максимально допустимых токов транзистора IRFP4004PBF от температуры корпуса, ограниченных кристаллом и выводами корпуса транзистора.

 

Максимальные токи IRFP4004PBF, ограниченные кристаллом и выводами

 

Рис. 4. Максимальные токи IRFP4004PBF, ограниченные кристаллом и выводами корпуса TO-247AC

К сожалению, полностью реализовать потенциал кристалла транзистора IRFP4004PBF в корпусе ТО-247АС невозможно (для этого нужен более мощный корпус), однако и корпус ТО-247АС ограничивает ток для IRFP4004PBF на уровне 195 А (режимы измерения см. в документации производителя), что является очень высоким показателем для приборов такого класса.

 

Заключение

Главные преимущества новых МОП-транзисторов IR - ультранизкое сопротивление открытого канала и недорогой стандартный корпус ТО-247АС. При модернизации серийно выпускаемых преобразователей энергии в большинстве случаев достаточно без изменения схемы и печатной платы заменить используемые ранее транзисторы на новые из серии IRFP4xxx. При замене нескольких параллельно включенных транзисторов на один новый получается ощутимый выигрыш в цене и надежности за счет снижения выделяемого тепла и увеличения срока службы электролитических конденсаторов. Всего пять новых транзисторов могут заменить большое количество транзисторов IR предыдущих поколений и довольно большое количество аналогичных приборов других производителей (см. таблицы 1, 2 и 3 данной статьи). В статье рассмотрены транзисторы только наиболее популярных мировых производителей MOSFET, хорошо известных нашим разработчикам, но, конечно, читатель может попробовать заменить и транзисторы от производителей, не рассмотренных выше.

Евгений Звонарев

 

Поставляемые компоненты











ATmega STM32 ADUM MAX232 GAINTA Светодиодные лампы Источники питания CREE International Rectifier stm8 G5LA RS-232 Драйвер светодиода RS-485 USB ATTINY CORTEX JTAG Плата SENSOR Honeywell Talema Программатор OMRON G2RL Sumida Analog Devices WINSTAR Радиаторы  G6D LUKEY MAXIM MDR STTH EEPROM NXP Индикаторы AVR GEYER IRF IRG4 G2R IGBT GPS GSM G6K MICRA Контактная плата Microchip TDA CTQ DISCOVERY резонатор G5LE ADM485 паяльник RASPBERRY линза ГЕРКОН Осциллограф P10CU RCH TNY TOP ХИМИЯ SMARTPROG2 G6Y металлоискатель WAGO DEGSON DSO QUAD MP-S300B ИОНИСТОР arduino BNC Варистор Прожектор CHRONOS Клавиатура supersilent тумблер соленоид strada chemet RJ-45 c8051 BOURNS G6R 91sam7s G5NB ATMEL ALPR Sunon EPM G5Q sonar G6B MSP430 UDS HIH LPC zl320 AD711 7805 STP JADE II PTC D-SUB MAX44 sim900 uni-s UNI-M Allegro cosmo pic24 ATXmega TMS320 переключатель датчик тока датчик усилия 1N4007 ds18b20 Батарейный отсек шаговый двигатель сервопривод AT89C AT89S AT90PWM AT90CAN AT90USB AT91SAM DRP разрядник bourns Texas Instruments АКЦИЯ XML-2 HE-1202 EPS-15 Детектор газа OSRAM sht 3590s cny arpl lmv mc33 ST-LINK rail-to-rail BEEPROG корпус герметичный hf41f pinguino pickit TFT Bright LED WIELAND STM32VLDISCOVERY TE Connectivity skkt TR91 EPM3 M24LR-DISCOVERY NCR Держатель светодиода SMAJ WG12864 Индикаторный светодиод zl322 TIP Радиатор ADG TLP WG320240 TACT 74LVC RS-15 PIC16 NS25 MOC MMBT MPSA MCDR P6KE STM32F4 TFM CXA2011 MC34 MBRS SMBJ MURS MBRA 78L05 KXO-210 FTDI KBPC IRLR IRFP AT24 P10AU ACS712 SN74HC G5V 78L12 LM358 IRF3205 LM2575 BT137 AD7705 WH1602 78L12 3842 TECAP PIC18 G6Z PC817 STM32F3 MPX MCP6 WH1604 KX-3H FNR CDRH BT134 STW R16110 PIC10 1.5ke zl201 AT45 BTA DEGSON DS13 EmKit STM32F1 XML SMCJ ULN2803 TPIC CNC Driver Лента 5050 RUEF hcpl HEF HFA IDC IRFZ MBR XBDA MCP M-PCB NCP TFF Хлорное железо P6AU ULN2003 NES WH2004 HCF ToyoLED BTB ADM 3296 LM317 PIC12 NS39 MUR L78xx KSDA ISO7 IRLZ IR21xx HopeRF XTEA STM32F0 24C16 KX-K LM324 Стеклотекстолит KX-49 IRLML Энкодер RXEF NTC NE5532 LM1117 MJE LMX Лента светодиодная RFM qss960 POSITIV 20 zl210 STM32F2 E30361 BZV55 G6S BAV99 zl262 CYNEL Мастер Кит zl263 MOSFET Двигатели POLOLU EEMB EPCOS solar sma  ON Semiconductor National Fairchild FreeScale WIZNET Vishay ZETEX AVAGO RGB wdr

^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП