Новые P- и N- MOSFET от 30В до 100В компании IR в корпусе SOT-23
Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в
разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной
особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание
ультранизкого сопротивления открытого канала и высокие динамические
характеристики. В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие
линейку N-канальных MOSFET в последнее время.
International Rectifierпредставил
семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление
открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусеSOT-23,
предназначенных для различного применения, например, в
переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки,
электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и других
применениях.
Применяя при производстве новых MOSFET самую передовую технологию
изготовления кристалла кремния, удалось добиться значительного улучшения
значений тока (на 90%) за счет уменьшения Rds(on), и таким образом
предложить разработчикам оптимизированное соотношение КПД и цены для
применения в конкретном устройстве. Новая линейка транзисторов покрывает
полностью диапазон напряженийот
-30В до 100Ви имеет
различные значения Rds(on) и заряда затвора (Qg), что позволяет
инженерам иметь более широкий выбор для разработки компактных,
эффективных, в том числе и по цене, решений.
Наименование
BVDSS(В)
Id макс
@ 25C (А)
RDSon
@ 10В
(мОм)
Тип. / Макс.
RDSon
@ 4.5В
(мОм)
Тип. / Макс.
Qg
тип. (нКл)
Купить
IRLML9301TRPBF
-30
3.6
51 / 64
82 / 103
4.8
IRLML9303TRPBF
-30
2.3
135 / 165
220 / 270
2.0
IRLML0030TRPBF
30
5.2
22 / 27
33 / 40
2.6
IRLML2030TRPBF
30
2.7
80 / 100
123 / 154
1.0
IRLML0040TRPBF
40
3.6
44 / 56
62 / 78
2.6
IRLML0060TRPBF
60
2.7
78 / 92
98 / 116
2.5
IRLML2060TRPBF
60
1.2
356 / 460
475 / 620
0.4
IRLML0100TRPBF
100
1.6
178 / 220
190 / 235
2.5
Вся серия транзисторов
Тип
Краткое описание
IRLML0030
MOSFET транзистор:
N-канал, 30 В, 5.3 А, 27 мОм
Серия
IRLML
IRLML0040
MOSFET транзистор:
N-канал, 40 В, 3.6 А, 56 мОм
IRLML0060
MOSFET транзистор:
N-канал, 60 В, 2.7 А, 92 мОм
IRLML0100
MOSFET транзистор:
N-канал, 100 В, 1.6 А, 220 мОм
IRLML2030
MOSFET транзистор:
N-канал, 30 В, 2.7 А, 100 мОм
IRLML2060
MOSFET транзистор:
N-канал, 60 В, 1.2 А, 480 мОм
IRLML2402
MOSFET транзистор:
N-канал, 20 В, 350 мОм
IRLML2502
MOSFET транзистор:
N-канал, 20 В, 80 мОм
IRLML2803
MOSFET транзистор:
N-канал, 30 В, 250 мОм
IRLML5103
MOSFET транзистор:
P-канал, 30 В, 600 мОм
IRLML5203
MOSFET транзистор:
P-канал, 30 В, 3 А, 98 мОм
IRLML6302
MOSFET транзистор:
P-канал, 20 В, 600 мОм
IRLML6401
MOSFET транзистор:
P-канал, 12 В, 50 мОм
IRLML6402
MOSFET транзистор:
P-канал, 20 В, 65 мОм
IRLML9301
MOSFET транзистор:
P-канал, 30 В, 3.6 А, 64 мОм
IRLML9303
MOSFET транзистор:
N-канал, 60 В, 2.7 А, 92 мОм
IRLMS1503
MOSFET транзистор:
N-канал, 30 В, 100 мОм
Серия
IRLMS
IRLMS2002
MOSFET транзистор:
N-канал, 20 В, 45 мОм
IRLMS6702
MOSFET транзистор:
P-канал, 20 В, 200 мОм
IRLMS6802
MOSFET транзистор:
P-канал, 20 В, 50 мОм
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
