Компания STMicroelectronics  выпустила 1200 В IGBT транзисторы, которые позволят оказывать меньшее влияние на окружающую среду ежедневно используемых приборов, таких, как бытовая техника и индустриальное оборудование. Это обеспечивается снижением двух основных источников потерь энергии при использовании транзисторов в электроприводе, а именно потери проводимости и потери на переключение.
Снижение потерь достигается использованием фирменного PowerMESH технологического процесса. Низкие потери на переключение позволяют использовать более высокую рабочую частоту и, соответственно, меньшие габаритные размеры компонентов обвязки.
Также транзисторы обеспечивают устойчивость против короткого замыкания в течение 10 мкс, повышая их надежность при ошибках и неисправностях, таких как неправильная подача управляющего сигнала на затвор, короткое замыкание на землю или пробой изоляции обмоток двигателя. STGW30N120KD и STGW40N120KD выпускаются в корпусе ТО-247 и в настоящее время уже доступны для серийной поставки.
Характеристики: