|
Компания
International Rectifier представила рынку MOSFET IRFH7185TRPBF –
первый 100 В транзистор семейства FastIRFET™, обеспечивающий
эталонную эффективность DC-DC источников питания, широко применяемых
для питания модулей электронного оборудования, в том числе,
телекоммуникационных систем.
Транзистор IRFH7185TRPBF изготовлен по новейшей 100 В технологии
FastIRFET™, реализующей лучшее в отрасли значения параметра FOM (figure
of merit), вычисляемого как Rds(on)*Qg – транзистор обладает
ультранизким сопротивлением открытого канала в сочетании с более
низким, чем в альтернативных транзисторах, зарядом затвора. Кроме
того, максимально-допустимый лавинный ток структуры FastIRFET™ на
20% выше, чем у транзисторов, выполненных по другим технологиям. Все
это позволяет обеспечить высокую эффективность преобразования,
увеличить плотность мощность и повысить надежность системы.
Транзисторы семейства FastIRFET™ работают со множеством контроллеров
и драйверов, что обеспечивает гибкость их применения при сохранении
высокого рабочего тока, эффективности и частотных характеристик в
небольшом планарном корпусе. Транзистор IRFH7185TRPBF отвечает
стандартам промышленного применения, уровню MSL1 и изготавливается в
промышленном корпусе PQFN размерами 5х6 мм
Основные характеристики:
Тип корпуса: PQFN5x6
Конфигурация и полярность: N>
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 123
А.
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном): 4,2...5,2
мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора: до 10 В.
Максимальное напряжение затвора: 20 В.
Заряд затвора: 36 нКл
Рассеиваемая мощность: 160 Вт. |
.jpg)
.jpg)
